fa طراحی جاذب کامل تنظیم‌پذیر با تک لایه‌ی MoS2 در بلور فوتونی نقص‌دار تخصصی Special پژوهشي Research <span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">امروزه بلورهای دوبعدی موبیلدیم دی سولفات </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">MoS₂</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">، قابلیت چشمگیری در کاربردهای اپتوالکترونیکی نشان داده‌اند. در این مقاله در راستای رسیدن به ساختاری با جذب بالا و قابلیت تنظیم‌پذیری، از بلور فوتونی نقص دار با ساختار </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">{(AB)^p MDM (AB)^q}</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> استفاده‌شده است که نقص در آن به‌صورت </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">MoS₂/D/MoS₂</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> در نظر گرفته‌شده است و </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">p</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">q</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> به ترتیب تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص را نشان می‌دهد. از روش ماتریس انتقال برای محاسبه‌ی جذب استفاده‌شده است. برای دستیابی به جذب بالا، دوره تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص و ضخامت لایه‌ی نقص بهینه گردید. با استفاده از ساختار پیشنهادی می‌توان به جذب تقریبا کامل بالای 97 درصد با قابلیت تنظیم‌پذیری طول‌موج مد نقص با تغییر در ضخامت لایه‌ی </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">D</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;"> رسید که با افزایش ضخامت لایه‌ی </span></span></span><span style="font-family:calibri,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">D</span></span><span dir="RTL"><span style="font-family:arial,sans-serif;"><span style="font-size:11.0pt;">، طول‌موج مد نقص انتقال به سرخ دارد.</span></span></span> Today, two-dimentional materials such as MoS₂ have exhibited distinctive capabilities in optoelectronic applications. In this paper,to achieve high absorption and wavelength-adjustable, defective photonic crystals is used which is formed of {(AB)^p MDM (AB)^q}that p and q show the number of alternation for top and bottom defect layer which is selected as MoS₂/D/MoS₂. The transfer matrix method is used to determine absorption. Also, optimal structure is found by changing the number of p, q and thickness of D. Near perfect absorption, which is more than 97 percent, with wavelength-adjustable capability could be obtained by proposed structure. By enhancing the thickness of D, red shift is resulted in wavelength of defect mode.<span dir="RTL"></span> بلور فوتونی نقص دار, جذب, روش ماتریس انتقال, تنظیم‌پذیری طول‌موج, موبیلدیم دی سولفات Absorption, Defective photonic crystal, Mobilidiumdisulfate, Transfer matrix method, Wavelength-adjustable capability 285 288 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2017&slc_lang=fa&sid=1 Narges Ansari نرگس انصاری 10031947532846008405 10031947532846008405 Yes Department of Physics, Alzahra University, Tehran, Iran دانشگاه الزهرا Kimia Mirbaghestan کیمیا میرباغستان 10031947532846008406 10031947532846008406 No Department of Physics, Alzahra University, Tehran, Iran دانشگاه الزهرا