fa تاثیر آلایش توسط عناصر فلزی (B و K) و نافلزی (N و Cl) در طیف‌های گسیلی از نقاط کوانتومی گرافن بر روی بستر گرافن تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این پژوهش اثر آلایش نقاط کوانتومی گرافن بر روی طیف&rlm;های گسیلی از آن&rlm;ها بررسی شده است. نقاط کوانتومی گرافن که بصورت محلول در آب بودند بر روی بستر گرافن رشد داده شده بر روی کاربید سیلیکن به روش اپیتکسی لایه نشانی شدند. خواص ساختاری شامل مورفولوژی و توپولوژی سطح توسط میکروسکوپ نوری، میکروسکوپ نور گسیل (</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">PEEM</span></span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) میکروسکوپ الکترونی روبشی </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">(</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">SEM</span></span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">،</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> میکروسکوپ الکترونی عبوری </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">(</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">TEM</span></span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و میکروسکوپ نیروی اتمی</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">(</span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">AFM</span></span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">)</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> بررسی شد. نتایج مشخصه یابی نشان می دهد که در انتخاب عنصر ناخالص هر چه از ستون چهارم جدول تناوبی به سمت ستون اول حرکت کنیم، واکنش پذیری عناصر بیشتر می&rlm;شود. تصاویر </span></span></strong><span dir="LTR"><span style="font-size:9.0pt;">AFM</span></span> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">یکنوختی سطح گرافن رشد داده شده بر روی </span></span></strong><span dir="LTR">SiC</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> را</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">نشان می&rlm;دهد. تصاویر </span></span></strong><span dir="LTR">SEM</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> و </span></span></strong><span dir="LTR">TEM</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> نیز توزیع یکنواخت نقاط کوانتومی گرافن را بر روی بستر نشان می&rlm;دهد</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">. با افزایش درصد آلایش برای بور از 75_/0% به 5_/1% و برای پتاسیم از 2% به 4% شدت طیف گسیلی از نقاط کوانتومی آلایش شده افزایش می&rlm;یابد. به همین ترتیب، با حرکت از ستون چهارم به سمت ستون هفتم، با افزایش درصد آلایش برای نیتروژن و کلر از 2% به 4% شدت طیف گسیلی از نقاط کوانتومی آلایش شده با عناصر ذکر شده کاهش می&rlm;یابد.</span></span></strong><span dir="LTR"></span> In this paper the effect of doping of metallic (K, B) and non-metalic (N, Cl) elements on emitted spectra of Graphene quantum dots (GQDs) on graphene substrate has been studied. AFM, SEM, PEEM and optical microscopy has been performed to study structural properties and PL test for optical properties of GQDs. Results show that by increasing doping percentage, the intensity of emitted spectra has an increasing trend for K and B, and decreasing trend for N and Cl.&nbsp; گرافن, نقاط کوانتومی گرافن, طیف گسیلی. Graphene, Graphene quantum dots, emitted spectra. 253 256 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-2007&slc_lang=fa&sid=1 Amin Kazemi امین کاظمی 10031947532846008376 10031947532846008376 Yes Department of Physics, University of Damghan, Damghan, Iran دانشگاه دامغان Mohammad reza Fadavieslam محمدرضا فدوی اسلام 10031947532846008377 10031947532846008377 No Department of Physics, University of Damghan, Damghan, Iran دانشگاه دامغان