fa اثر بازپخت بر رفتار اپتیکی لایه‌های اکسید روی (ZnO)نهشته شده با روش لایه نشانی لیزری تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">اکسید روی </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">ZnO</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">یکی از مهم‌‌ترین اکسیدهای فلزی است&nbsp; که به دلیل داشتن ویژگی‌‌های منحصربه‌‌فرد در ابزارهای اپتیکی به ویژه در ادوات جذب و گسیل پرتو فرابنفش کاربرد فراوانی دارند. ویژگی لایه‌‌های نازک </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">ZnO</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> تا حد زیادی وابسته به روش لایه‌‌نشانی آن است. لایه‌‌نشانی لیزر پالسی یکی از <span style="color:black;">روش‌‌های کارا </span></span>برای تهیه‌‌ی انواع لایه</span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های </span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">ZnO</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> است. در این مقاله، رفتارهای اپتیکی لایه</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های نازک اکسید روی تهیه شده به روش لایه نشانی لیزر پالسی بدون بازپخت و پس از انجام عملیات حرارتی مورد مطالعه و بررسی قرار گرفتند. برای این منظور مشخصه</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های جذبی، عبوری و همچنین گاف اپتیکی لایه</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ها به کمک طیف</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">سنجی فرابنفش-مرئی مورد ارزیابی قرار گرفت که مشاهده می&shy;شود پس از بازپخت میزان عبور در ناحیه فرابنفش 20% بیشتر شده و گاف انرژی</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">eV </span></span></strong>&nbsp;<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">3/0 افزایش یافته است . علاوه بر آن مشخصه</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های سطحی لایه</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ها با استفاده از تصاویر اپتیکی و میکروسکوپ الکترونی بررسی شده است، که مشخص می&shy;شود اندازه ذره&shy;ها پس از بازپخت افزایش می&shy;یابد.</span></span></strong><strong><span dir="LTR"><span style="font-size:11.0pt;"></span></span></strong> <strong>Zinc Oxide, as one of the most important metal oxides, has been widely applied in optical devices due to its unique properties. In fact, the specifications of the ZnO thin film depend thoroughly on the deposition method. Pulsed Laser Deposition (PLD) is one of the most efficient methods for preparing ZnO films. In this paper, the optical behavior of prepared ZnO thin films through PLD was investigated using two kinds of samples, as deposited layer and the annealed sample. For this aim, absorption, transmission and optical band gaps of the samples were measured by the use of UV-VIS spectroscopy. After annealing, the ultra-violet transmission rate was increased by 20% and the energy band gap was increased by 0.3 eV. Moreover, the surface morphology of the samples was studied using the optical and scanning electron microscopy images which ultimately showed an increase in the grain&rsquo;s size.</strong> اکسید روی, لایه‌نشانی لیزر پالسی, گاف انرژی band gap, pulsed laser deposition, Zinc oxide 661 664 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1849&slc_lang=fa&sid=1 Faezeh Hasani فائزه حسنی 10031947532846008089 10031947532846008089 Yes Physics Department, Alzahra University دانشگاه الزهرا Mehrnaz Simdar مهرناز سیم دار 10031947532846008090 10031947532846008090 No Physics Department, Alzahra University دانشگاه الزهرا Mohammad amin Bassam محمد امین بصام 10031947532846008091 10031947532846008091 No Electronics Department, Malek Ashtar University دانشگاه صنعتی مالک اشتر Seyedeh soraya Mousavi سیده ثریا موسوی 10031947532846008092 10031947532846008092 No Physics Department, Alzahra University دانشگاه الزهرا Batool Sajad بتول سجاد 10031947532846008093 10031947532846008093 No Physics Department, Alzahra University دانشگاه الزهرا