Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1397
12
1
gregorian
2019
3
1
25
ICOP & ICPET 2019
online
1
fulltext
en
سنتز پروسکایت دو بعدی و استفاده از لایه نشانی غوطهوری مناسب برای ساخت افزارههای الکترونیک نوری
Synthesis of 2D Perovskite and Using Dip-coating Method Suitable for Fabrication of Optoelectronic Devices
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این پژوهش سنتز پروسکایت دو بعدی رادلسدن پاپر که علاوه بر برخورداری از مزایای شناخته شده پروسکایت سه</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">بعدی از جمله جذب نوری بالا و مشخصات انتقال حامل خوب عیب بزرگ ناپایداری را به طور قابل توجه</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی برطرف کرده است، گزارش می شود.در این مقاله از مولکول</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های بزرگ و پایدار و مقاوم به حرارت و رطوبت بوتیل آمین استفاده شد تا یک لایه از پروسکایت سرب تترایدید را احاطه کنند و مانع از نفوذ حرارت و رطوبت به لایه</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی پروسکایت شده و پایداری را افزایش می</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دهند.وجود این مولکول‏های حائل باعث افزایش ثابت شبکه نسبت به حالت سه بعدی می</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">گردد و محدود سازی کوانتومی در دو بعد باعث افزایش گاف انرژی می شود. این ماده به روش غوطه</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">وری لایه نشانی شد و با انجام آزمایش</span></span></strong><span dir="LTR">‎</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های طیف جذب نوری و نورتابناکی گاف انرژی آن 5/2 الکترون ولت و بیشترین مقدار نورتابناکی 21/2</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> الکترون ولت اندازه گیری شد.</span></span></strong><span dir="LTR"></span>
In this paper synthesis of <a name="OLE_LINK4"></a><a name="OLE_LINK3">Ruddlesden</a>-Popper tow dimensional Perovskite (RPPs) is reported. Not only has this kind of Perovskite (PVK) its 3D counterpart advantageous such as high absorption coefficient and good carrier transport properties but also its stability has been improved. In this work BA molecule which is stable, heat and humid resistive and big enough to cover a mono layer of lead tetra iodide was used to prevent heat and humidity to reach PVK layer and stabilize it. The existence of spacer molecule increase lattice constant and quantum confinement enlarge band gap. After Dip-coating photoluminescence (PL) and photo absorption spectroscopy test was done and band gap was measured 2.5eV and PL pick was 2.21eV.
افزاره های الکترونیک نوری, پروسکایت دو بعدی, پایداری ,رادلسدن پاپر ,لایه نشانی غوطهوری
Optoelectronic devices, 2D Perovskite, Stability, Ruddlesden-Popper, Dip-coating
1125
1128
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1834&slc_lang=en&sid=1
Parsa
Darman
پارسا
درمان
10031947532846007805
10031947532846007805
Yes
Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran
دانشگاه تربیت مدرس
Sara
Darbari
سارا
درباری
10031947532846007806
10031947532846007806
No
Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran
دانشگاه تربیت مدرس