en طراحی و مشخصه‌یابی یک مدولاتور فاز سیلیکونی جدید مبتنی بر ساختار تخلیه حامل جانبی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله، از طریق شبیه سازی&shy;های الکتریکی و نوری، یک مدولاتور فاز سیلیکونی تخلیه حامل فشرده</span></span></strong> <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در طول موج </span></span></strong><strong><span dir="LTR">&micro;</span></strong><strong><span dir="LTR">m</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">3/1 ارائه می&shy;شود. شیفت&shy;دهنده فاز، متشکل از یک پیوند </span></span></strong><strong><span dir="LTR">&nbsp;PN</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">جانبی بایاس معکوس با طول </span></span></strong><strong><span dir="LTR">m</span></strong><strong><span style="font-size:11.0pt;">&micro;</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> 120 است. با طراحی دقیق پیوند </span></span></strong><strong><span dir="LTR">PN</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">، بازده مدولاسیون محاسبه شده، مقادیر بین 02/1 و </span></span></strong><strong><span dir="LTR">V.cm</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">2/2 را در بر می&shy;گیرد. اتلاف نوری این شیفت&shy;دهنده فاز فشرده در </span></span></strong><strong><span dir="LTR">V</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">4 برابر </span></span></strong><strong><span dir="LTR">dB/cm</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">49/2 است. هم&shy;چنین این ساختار عملکرد سرعت بالا </span></span></strong><strong><span dir="LTR">GHz</span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">30 را فراهم می&shy;کند. بهبود بیشتر در عملکرد آن در مقایسه با شیفت&shy;دهنده&shy;های فاز پیشین، حاصل می&shy;شود. </span></span></strong> In this paper, through electrical and optical simulations, a compact-sized carrier depletion silicon phase modulator operating in 1.3&micro;m is presented. The phase shifter is composed by a 120&micro;m-long reverse biased PN junction. With the precise design of the PN junction, the calculated modulation efficiency contains between 1.02 and 2.2V.cm. The compact phase shifter optical loss is 2.49dB/cm at 4V. Also, this structure provides >30GHz high speed operation. Further improvement in its performance in comparison to the state of the art phase shifters is obtained. فوتونیک سیلیکونی, مدولاسیون نوری, اثر تخلیه حامل, شیفت‌دهنده فاز سیلیکونی Silicon photonics, Optical modulation, Carrier depletion effect, Silicon phase shifter 1121 1124 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1830&slc_lang=en&sid=1 Mohammad sadegh Mirzaei محمد صادق میرزایی 10031947532846007795 10031947532846007795 Yes Department of physics, Shahid Bahonar University, Kerman, Iran دانشگاه شهید باهنر، کرمان Hamidreza Mashayekhi حمیدرضا مشایخی 10031947532846007796 10031947532846007796 No Department of physics, Shahid Bahonar University, Kerman, Iran دانشگاه شهید باهنر، کرمان Mohammad hossein Zandi محمد حسین زندی 10031947532846007797 10031947532846007797 No Department of physics, Shahid Bahonar University, Kerman, Iran دانشگاه شهید باهنر، کرمان