fa مهندسی گاف انرژی پروسکایت با فرایند وَسپ تخصصی Special پژوهشي Research <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مقاله، به بررسی اثر ترکیب</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های آلی هالوژن&shy;های برم و ید بر اندازه‌ی گاف انرژی پروسکایت در روش لایه نشانی وَسپ<a href="#_edn1" name="_ednref1" title=""><span dir="LTR"><strong><span style="font-family:times new roman bold,serif;"><span style="font-size:10.0pt;">[i]</span></span></strong></span></a></span></span> می‌پردازیم. برای مهندسی گاف انرژی با این روش، ابتدا لایه‌های <span dir="LTR">PbBr_xI_2&minus;x (x=0, 1, 2)</span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> را</span></span> <span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">با روش چرخشی بر بستر مزو &nbsp;</span></span><span dir="LTR">TiO₂</span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> نشانده و برای رسیدن به دما و زمان بهینه، در دماها ومدت‌های گونان در معرض بخار </span></span><span dir="LTR">MABr</span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;"> قرار می</span></span><span dir="LTR">&shy;</span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دهیم. با این روش، به دلیل استفاده از بخارهای نمک متیل آمین، لایه</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های پروسکایت کندتر و در نتیجه با سطحی هموارتر و دانه&shy;های درشت‌تر تشکیل خواهند شد. به‌علاوه، با توجه به امکان سنتز انبوه لایه‌های پروسکایت در ابعاد بزرگ و مصرف بهینه مواد در این فرایند، روش وَسپ از روش لایه نشانی چرخشی دو مرحله‌ای متداول در ساخت لایه&shy;های پروسکایت ارزان&shy;تر است و یکی از موانع تولید انبوه سلول‌های خورشیدی پروسکایتی را از سر راه برمی</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">‌</span></span><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">دارد. </span></span> <div>&nbsp; <hr align="left" size="1" width="33%" > <div id="edn1"><a href="#_ednref1" name="_edn1" title=""><span style="font-family:times new roman,serif;"><span style="font-size:9.0pt;">[i]</span></span></a> Vapor-assisted solution process (VASP)</div> </div> Using the Vapor-Assisted Solution Process (VASP), we investigate the effect of the bromine and iodine halogen organic compounds on the perovskite bandgap. For the bandgap engineering, layers of PbBr_xI_2&minus;x (x=0, 1, 2), deposited on Meso substrates, are exposed to the MABr vapor and optimize the time and temperature for this process. Presence of MABr vapor increases the time required for the formation of the perovskite layer, with larger grans and more uniform surface. Moreover, as compared the ordinary two-step spin coating, VASP has the capability of synthesizing perovskite layers in large-scales with lower costs. Hence, VASP can overcome an obstacle that mass production of perovskite solar cells is facing. مهندسی گاف انرژی, پروسکایت, وَسپ Band Engineering, perovskite, Vapor-Assisted Solution Process. 497 500 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1813&slc_lang=fa&sid=1 Atefeh Fathzadeh عاطفه فتح زاده 10031947532846007740 10031947532846007740 Yes Faculty of ECE, Nano Plasmo-Photonic Research Group, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. دانشگاه تربیت مدرس Bahram Abdollahi nezhand بهرام عبدالهی نژند 10031947532846007741 10031947532846007741 No Faculty of ECE, Nano Plasmo-Photonic Research Group, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. دانشگاه تربیت مدرس Mohammad kazem Moravvej farshi محمد کاظم مروج فرشی 10031947532846007742 10031947532846007742 No Faculty of ECE, Nano Plasmo-Photonic Research Group, Tarbiat Modares University, Tehran, Iran. دانشگاه تربیت مدرس