<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1397</year>
	<month>12</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2019</year>
	<month>3</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>25</volume>
<number>ICOP & ICPET 2019</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>ساخت دیود انتشار دهنده نور مبتنی بر نقاط کوانتومی</title_fa>
	<title>The fabrication of Quantum Dot based Light Emitting Diode</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt;امروزه نقاط کوانتومی و ادوات مبتنی برآن از جمله دیود های نورگسیل به دلیل ویژگی های منحصربفردی چون قابلیت ساخت راحت، ارزان بودن، کیفت نور خروجی بالا و از همه مهمتر قابلیت مهندسی گاف انرژی به شدت مورد توجه دانشمندان حوزه اپتو الکترونیک قرار گرفته است. در این پژوهش با ساخت دیودهای نورگسیل با لایه گسیل نور نقطه کوانتومی &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;CdSe/ZnS&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt; و &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;CdSe/ZnO&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt; با ولتاژ روشن شدن 5/2 ولت به شدت نور خروجی &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;lux/mm&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt; 59 رسیده ایم. هم چنین قطعات ساخته شده ، پهنای باند 8 مگا هرتز از خود نشان داده اند که برای استفاده در کاربردهای &lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;VLC&lt;/span&gt;&lt;strong&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:11.0pt;&quot;&gt; برای انتقال دیتا مناسب می باشد.&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/strong&gt;&lt;span dir=&quot;LTR&quot;&gt;&lt;/span&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;p class=&quot;AbstractEnglish&quot;&gt;Recently, light emitting diodes based on quantum dots (QD-LED) are significantly appealing due to their unique features in optoelectronic fields. Narrow emission spectra, the simple synthesis methods, the high output light quality and the most importantly, the ability of controlling the wavelength of the emitting photon with the size of QDs, are some of the unique properties of these devices. In this study, presented structures are based on CdSe/ZnS and CdSe/ZnO QDs. The fabricated structures have the 2.5V turn-on voltage and the output light intensity of 59 lux/mm. Also the devices have the bandwidth of 8 MhZ that can be used in the visible light communication (VLC) to transfer the data.&lt;!--stripped--&gt;&lt;!--stripped--&gt;&lt;/p&gt;
</abstract>
	<keyword_fa>دیود انتشاردهنده نور- نقطه کوانتومی- بازترکیب الکترون و حفره-پاسخ فرکانسی</keyword_fa>
	<keyword>light emitting diode- quantum dot- electron hole recombination-bandwidth</keyword>
	<start_page>117</start_page>
	<end_page>120</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1768&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Fereshte</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Vahabzad</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>فرشته</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>وهاب زاد</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007607</code>
	<orcid>10031947532846007607</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Faculty of electrical and computer engineering, Tabriz university</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه تبریز</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Ali</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Rostami</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>علی</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>رستمی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007608</code>
	<orcid>10031947532846007608</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Faculty of electrical and computer engineering, Tabriz university</affiliation>
	<affiliation_fa>دانشگاه تبریز</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Mahboobeh</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Dowlatyari</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>محبوبه</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>دولتیاری</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007609</code>
	<orcid>10031947532846007609</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>ASPE Company </affiliation>
	<affiliation_fa>ASPE Company </affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
