fa خواص تابشی نانوسیم‌های بلند و نازک اکسیدروی به دست آمده از طریق اکسیداسیون گرمایی تخصصی Special پژوهشي Research <strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در این مطالعه، با بکارگیری شرایط مناسب لایه نشانی، لایه</span></span></strong><span dir="LTR">‌</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های نازک نانوساختاری روی تولید شدند. این لایه‌های نازک سپس در کوره‌ی گرمایی قرار گرفتند و پس از آنیل شدن تحت شارش گاز اکسیژن، نانوسیم‌های بلند اکسید روی (</span></span></strong><span dir="LTR">ZnO</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) با طولی بیش از 10 میکرون و قطری در حدود 130 &nbsp;نانومتر بر روی آن رشد کردند. به منظور امکان سنجی استفاده از این نانوسیم‌ها در دیودهای نوری، طیف فوتولومینسانس&nbsp; نانوسیم</span></span></strong><span dir="LTR">‌</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های اکسیدروی اندازه‌گیری شده و مورد بررسی قرار گرفت. &nbsp;مطالعه‌ی طیف‌های فوتولومینسانس (</span></span></strong><span dir="LTR">PL</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">) نشان از کیفیت بالای اپتیکی نانوسیم‌های اکسیدروی داشت با یک گسیل غالب لبه</span></span></strong><span dir="LTR">‌</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">ی باندی در ناحیه‌ی فرابنفش و چند گسیل دیگر </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">در ناحیه‌ی مرئی </span></span></strong><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">که به بازترکیب‌های اکسیتون در نقص</span></span></strong><span dir="LTR">‌</span><strong><span style="font-family:b nazanin;"><span style="font-size:11.0pt;">های بلوری مرتبط می‌باشند. </span></span></strong> In this study, we show that by applying appropriate deposition conditions, Zn nanostructured templates for the growth of zinc oxide (ZnO) nanowires can be fabricated, from which ultrafine high optical quality nanowires can be grown by means of post-deposition low-temperature oxidation. By identifying and optimizing the appropriate parameters, we successfully fabricated long ultrafine ZnO nanowires up to 10 microns in length and 135 nm in diameter. In order to investigate their potential use in Light Emitting Diodes (LEDs) the PL spectra of the samples were also measured. The studies of photoluminescence (PL) of the nanowires showed their high optical quality with band edge dominated emission with small defect-related input. اکسیدروی, نانوسیم, اکسیداسیون گرمایی, فوتولومینسانس, نقص بلوری Zinc Oxide, Nanowires, Thermal Oxidation, Photoluminescence, Crystal defects. 993 996 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1746&slc_lang=fa&sid=1 Farnaz Abdolrezapour فرناز عبدالرضاپور 10031947532846007541 10031947532846007541 Yes Department of Physics, College of Sciences, Shiraz University, Shiraz, Iran دانشگاه شیراز Mahmood Moradi محمود مرادی 10031947532846007542 10031947532846007542 No Department of Physics, College of Sciences, Shiraz University, Shiraz, Iran دانشگاه شیراز Mahmood Hosseini farzad محمود حسینی فرزاد 10031947532846007543 10031947532846007543 No Department of Physics, College of Sciences, Shiraz University, Shiraz, Iran دانشگاه شیراز