<?xml version="1.0" encoding="utf-8"?>
<journal>
<title>Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences</title>
<title_fa>مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران</title_fa>
<short_title>ICOP &amp; ICPET _ INPC _ ICOFS</short_title>
<subject>Basic Sciences</subject>
<web_url>http://opsi.ir</web_url>
<journal_hbi_system_id>1</journal_hbi_system_id>
<journal_hbi_system_user>admin</journal_hbi_system_user>
<journal_id_issn>1126-3278</journal_id_issn>
<journal_id_issn_online>10</journal_id_issn_online>
<journal_id_pii>8</journal_id_pii>
<journal_id_doi>7</journal_id_doi>
<journal_id_iranmedex></journal_id_iranmedex>
<journal_id_magiran></journal_id_magiran>
<journal_id_sid>14</journal_id_sid>
<journal_id_nlai>8888</journal_id_nlai>
<journal_id_science>13</journal_id_science>
<language>fa</language>
<pubdate>
	<type>jalali</type>
	<year>1397</year>
	<month>12</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<pubdate>
	<type>gregorian</type>
	<year>2019</year>
	<month>3</month>
	<day>1</day>
</pubdate>
<volume>25</volume>
<number>ICOP & ICPET 2019</number>
<publish_type>online</publish_type>
<publish_edition>1</publish_edition>
<article_type>fulltext</article_type>
<articleset>
	<article>


	<language>fa</language>
	<article_id_doi></article_id_doi>
	<title_fa>بررسی اثر چیرپ بر افزایش دمای حاصل از اندرکنش تپ‌های لیزری فمتوثانیه با سیلیکون</title_fa>
	<title>Investigation of the chirp effect on the temperature rising due to the interaction of femtosecond laser pulses with silicon</title>
	<subject_fa>تخصصی</subject_fa>
	<subject>Special</subject>
	<content_type_fa>پژوهشي</content_type_fa>
	<content_type>Research</content_type>
	<abstract_fa>&lt;span dir=&quot;RTL&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-family:b nazanin;&quot;&gt;&lt;span style=&quot;font-size:12.0pt;&quot;&gt;تپ&#8204;های لیزری فمتوثانیه به دلیل پهنای فرکانسی وسیعی که دارند، در اثر انتشار در محیط دچار چیرپ شدگی می&#8204;شوند. در این مقاله اثری که چیرپ شدگی تپ لیزری بر اندرکنش می&#8204;گذارد، بررسی شده است. دمای حامل&#8204;ها با استفاد از تپ چیرپ شده حدود دو برابر افزایش می&#8204;یابد. همچنین تعداد حامل&#8204;های آزاد در حالت چیرپ شده افزایش یافته و دمای شبکه تا حدود سه برابر نسبت به حالت چیرپ نشده افزایش یافته است. در این مقاله نشان داده شده که استفاده از تپ چیرپ شده می&#8204;تواند باعث افزایش جذب انرژی لیزر توسط حامل&#8204;ها و به دنبال آن افزایش دمای سیلیکون شود. همچنین استفاده از تپ لیزری با چیرپ شدگی منفی، به دلیل نفوذ بیشتر درون نمونه، منجر به افزایش تعداد حامل&#8204;های داغ و افزایش دمای نمونه می&#8204;شود&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;&lt;/span&gt;</abstract_fa>
	<abstract>&lt;strong&gt;Femtosecond laser pulses due to their wide frequency spectrum will be chirped when propagating into any environment and this phenomenon is unavoidable for femtosecond laser pulses. In this paper, the effect of laser chirping on the interaction is investigated. The temperature of the carriers increases by about twice while using a chirped pulse laser. Also, the number of free carriers for the chirped pulses has enhanced and the lattice temperature has increased about three times relative to the un-chirped pulse. Finally, it has been shown that using a chirped pulse laser can increase the absorption of laser energy and, consequently, increase the temperature of the silicon. Also, negatively chirped laser pulse, due to deeper penetration into the sample, leads to an increase in the number of hot carriers and sample temperature.&lt;/strong&gt;</abstract>
	<keyword_fa>چیرپ, لیزر, فمتوثانیه, سیلیکون</keyword_fa>
	<keyword>Chirp, Laser, Femtosecond, Silicon </keyword>
	<start_page>717</start_page>
	<end_page>720</end_page>
	<web_url>http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1684&amp;slc_lang=fa&amp;sid=1</web_url>


<author_list>
	<author>
	<first_name>Reza</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Goodarzi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>رضا</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>گودرزی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007367</code>
	<orcid>10031947532846007367</orcid>
	<coreauthor>Yes
</coreauthor>
	<affiliation>Photonics and Quantum Technologies Research School, Nuclear Science and Technologies Research Institute, Atomic Energy Organization of Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Davood</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Razaghi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>داوود</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>رزاقی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007368</code>
	<orcid>10031947532846007368</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Photonics and Quantum Technologies Research School, Nuclear Science and Technologies Research Institute, Atomic Energy Organization of Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای</affiliation_fa>
	 </author>


	<author>
	<first_name>Fereshteh</first_name>
	<middle_name></middle_name>
	<last_name>Hajesmaeilbaigi</last_name>
	<suffix></suffix>
	<first_name_fa>فرشته</first_name_fa>
	<middle_name_fa></middle_name_fa>
	<last_name_fa>حاج اسماعیل بیگی</last_name_fa>
	<suffix_fa></suffix_fa>
	<email></email>
	<code>10031947532846007369</code>
	<orcid>10031947532846007369</orcid>
	<coreauthor>No</coreauthor>
	<affiliation>Photonics and Quantum Technologies Research School, Nuclear Science and Technologies Research Institute, Atomic Energy Organization of Iran</affiliation>
	<affiliation_fa>پژوهشگاه علوم و فنون هسته‌ای</affiliation_fa>
	 </author>


</author_list>


	</article>
</articleset>
</journal>
