Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1396
12
1
gregorian
2018
3
1
24
مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و چهارمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
online
1
fulltext
fa
ساخت تک لایه ضد بازتاب پهن باند بر زیر لایه سیلیکونی به روش متخلخل سازی به وسیله سونش شیمیایی
Fabrication of single anti-reflection layer by introducing porous structure on silicon substrate by using chemical etching
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">یکی از روش</span></span></strong><span dir="LTR">­</span><strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">های موثر ساخت تک لایه ضد بازتاب، سونش شیمیایی به کمک فلز </span></span></strong><strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">(</span></span></strong><span dir="LTR">MACE</span><strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">) </span></span></strong><strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">در دمای محیط است. نانو ساختار­های سیلیکونی با لایه­نشانی نانو ذرات نقره به روش غوطه وری در بازه­های زمانی متفاوت و زمان سونش مختلف بر روی زیر لایه سیلیکون ساخته شده­اند.</span></span></strong> <strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;">بازتاب سطح متخلخل سیلیکون با زمان لایه نشانی 40 ثانیه و مدت زمان سونش 5 ساعت، در بازه طیفی</span></span></strong> <strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;"> 400-5000 نانومتر به کمتر از 1/2% رسیده است. بنابراین می­توان با هزینه کم و بدون تجهیزات پیشرفته در دمای محیط، به ساختار تک لایه ضد­بازتاب در پهنای طیفی وسیع دست یافت، که در بسیاری از سامانه­های اپتیکی و یاخته­های خورشیدی برای افزایش بازده</span></span></strong> <strong><span style="font-family: "b nazanin";"><span style="font-size: 10pt;"> و کارایی کاربرد دارد.</span></span></strong>
Metal assisted chemical etching (MACE) method is an effective process for the fabrication of single anti-reflection layer at room temperature. Nanostructures on silicon substrate with different immersion coating time and different etching time have been fabricated. The reflection on porous surface with coating and etching time of 40s and 5h respectively, in spectral range of 400-5000 nanometer have been achieved lower than 2.1%. Therefore, the structure of single anti-reflection layer in wide spectral range can be obtained through low cost and without advanced equipment at room temperature, that is used in many optic systems and solar cells to increase efficiency and performance.
یاخته های خورشیدی, لایه ضد بازتاب, سطح متخلخل, MACE
Anti-reflection layer, Porous surface, MACE, Solar cells
497
500
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1622&slc_lang=fa&sid=1
Parisa
Hosseinizadeh
پریسا
حسینی زاده
10031947532846007133
10031947532846007133
Yes
Science faculty, Physics department, Esfahan University
دانشگاه اصفهان
Fatemeh
Malekmohammad
فاطمه
ملک محمد
10031947532846007134
10031947532846007134
No
Science faculty, Physics department, Esfahan University
دانشگاه اصفهان
Mohammad
Malekmohammad
محمد
ملک محمد
10031947532846007135
10031947532846007135
No
Science faculty, Physics department, Esfahan University
دانشگاه اصفهان