en طراحی و مشخصه یابی یک مدولاتور نوری سیلیکونی جدید تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله، یک ساختار جدید برای مدولاتور نوری سیلیکونی مبتنی بر تخلیه حامل با نرخ انهدام dB7.81 و تلفات نوری کم dB0.56 در بایاس معکوس 9 ولت ارائه شده است. مدولاتور از 100 نانومتر ناحیه با ناخالصی بسیار زیاد به منظور ایجاد هر اتصال اهمی استفاده می کند و مدولاتور با پروفایل چگالی کم ناخالصی در ناحیه فعال به عنوان شیفت دهنده فاز به گونه ای طراحی شده است تا تلفات نوری را کاهش دهد. نمودار چشم عملکرد جیتر ps7.13 و نقطه تصمیم گیری ps22.07 را نشان می دهد. A new structure for the carrier depletion based silicon optical modulator is proposed with the extinction ratio of 7.81 dB and the low optical loss of 0.56 dB/mm at 9 V reverse bias. The modulator uses 100nm of heavily doped regions for each ohmic contact. The Modulator itself is designed with low impurity concentration doping profile in the active area as the phase shifter in order to reduce the optical loss. The eye diagram shows the jitter performance of 7.13 ps and the decision point of 22.07 ps. اثر پراکندگی پلاسما, تخلیه حامل, مدولاتور نوری سیلیکونی carrier depletion, plasma dispersion effect, silicon optical modulator 821 824 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1552&slc_lang=en&sid=1 Shahrzad Khajavi شهرزاد خواجوی 10031947532846006948 10031947532846006948 Yes School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology دانشگاه علم و صنعت ایران Mohammad Azim Karami محمد عظیم کرمی 10031947532846006949 10031947532846006949 No School of Electrical Engineering, Iran University of Science and Technology دانشگاه علم و صنعت ایران