en ‌ بهبود خروجی دیودنورگسیل پروسکایتی بر پایه شبیه سازی تخصصی Special پژوهشي Research <strong style="text-align: justify;"><span dir="RTL">در این کار، با استفاده از شبیه ساز یک بعدی سیلواکو، دیود نورگسیل پروسکایتی مورد بررسی قرار گرفته&shy;است و خروجی نوری آن بهینه شده&shy;است و&nbsp;</span><span dir="RTL">بهبود کارآیی این افزاره به عنوان تابعی از ضخامت ناحیه فعال واکاوی شد. نتایج نشان می دهد که بیشترین لومینسانس خروجی با لایه پروسکایتی با ضخامت در محدوده&nbsp;</span>5-20&nbsp;<span dir="RTL">نانو متر قابل دستیابی است. همچنین، چگالی حالات تله ها که بیانگر کیفیت لایه فعال است، یکی ازفاکتورهای بسیار مهم در بازدهی دیود نورگسیل پروسکایتی&nbsp;</span><span dir="RTL">به شمار می&shy;&shy;رود</span><span dir="RTL">. نشان داده شده است با تغییر طول عمر حامل ها از&nbsp;</span>5<span dir="RTL">&nbsp;تا&nbsp;</span>500<span dir="RTL">&nbsp;نانو ثانیه که نتیجه تغییر چگالی حالات تله ها از</span>&nbsp;10¹⁶&nbsp;<span dir="RTL">برای پلی کریستال به&nbsp;</span>10¹²&nbsp;<span dir="RTL">بر سانتی متر مکعب برای تک کریستال است، لومینسانس نور خروجی از&nbsp;</span>2.75&nbsp;<span dir="RTL">به&nbsp;</span>3.26&nbsp;<span dir="RTL">وات بر متر</span><span dir="RTL">&nbsp;مربع</span><span dir="RTL">&nbsp;افزایش یافته است. این بهبود به معنی افزایش&nbsp;</span>18.5&nbsp;<span dir="RTL">در صد برای لومینسانس نور خروجی و همین طور افزایش&nbsp;</span>7<span dir="RTL">&nbsp;درصدی برای بازدهی جریان است</span><span dir="RTL">.&nbsp;</span></strong> <em>In this work, perovskite light emitting diode (PeLED) has been analyzed using two-dimensional simulation and its optical output is optimized. The device performance is investigated as a function of the perovskite thickness, as the active layer. The result reveals that the </em><em>highest luminescence can be achieved by a perovskite layer with a thickness in the range of 5-20 nm. Furthermore, </em><em>the density of trap states which indicates the quality of the active layer, is considered as one of the most substantial parameters to improve the efficiency of PeLEDs. It is shown that by increasing the lifetime of the carriers from 5 ns to 500 ns as a result of density of trap states reduction from 10^-12cm^-3 for polycrystalline to 10^-16cm^-3for single crystal perovskite, the maximum luminous power enhances from 2.75 W/m² to 3.26 W/m² i.e. 18.5% increment in luminous power.</em> دیود نور گسیل پروسکایتی, شبیه ساز یک بعدی, چگالی حالت تله, بازترکیب SRH. Perovskite light emitting diodes, two-dimensional simulation, Trap density of state, SRH recombination 805 808 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1546&slc_lang=en&sid=1 Masoud Payandeh مسعود پاینده 10031947532846006926 10031947532846006926 Yes Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس Vahid Ahmadi وحید احمدی 10031947532846006927 10031947532846006927 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس Farzaneh Arabpour Roghabadi فرزانه عرب پور رق آبادی 10031947532846006928 10031947532846006928 No Faculty of Electrical and Computer Engineering, Tarbiat Modares University دانشگاه تربیت مدرس