fa بررسی خواص ساختاری و اپتیکی لایه‌های نازک CuFeO2 تهیه شده به روش محلول شیمیایی تخصصی Special پژوهشي Research چ<font face="tahoma,arial,helvetica,sans-serif">کیده – لایه نازک CuFeO₂ روی زیرلایه کوآرتز با استفاده از روش محلول شیمیایی و تکنیک لایه نشانی چرخشی تهیه شد و خواص ساختاری و الکترواپتیکی آن پس از بازپخت در گاز آرگون در دمای C‏ °750 مورد بررسی قرار گرفت .فازهای تشکیل شده با استفاده از پراش اشعه ایکس مشخص شدند. تراگسیل در بازه ی مرئی و گاف انرژی مستقیم CuFeO₂ با استفاده از نتایج طیف تراگسیلی به ترتیب ٪55-30 وeV 3/2 بدست آمد. با استفاده از اندازه‌گیری اثر هال، رسانایی الکتریکی و چگالی حاملهای بار به ترتیب S/cm ^2-10×87/3 وcm-3 1017×4/1 بدست آمد.</font> Abstract- transparent conductive CuFeO₂ thin films were deposited onto quartz substrate using chemical solution process and then thermally annealed in argon at 750°C. The derived thin films were characterized by x-ray diffraction. The transmission at visible region and direct optical band gap of the CuFeO₂ thin films were 30-55 % and 3.2 eV, respectively. The Hall effect measurement showed that the electrical conductivity and carrier concentration of the films are 3.87×10^-2 S/cm and 1.4×10 17 cm^-3, respectively. CuFeO2, لایه نازک, لایه نشانی محلول شیمیایی, نیمرساناهای اکسیدی شفاف CuFeO2, thin film, chemical solution deposition, transparent oxide semiconductor 249 252 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-127&slc_lang=fa&sid=1 hafezeh mamaghani حافظه ممقانی hafezeh.m1989@yahoo.com 10031947532846001892 10031947532846001892 No shahid beheshti university دانشگاه شهید بهشتی majid ghanaatshoar مجید قناعت شعار m-ghanaat@sbu.ac.ir 10031947532846001893 10031947532846001893 Yes shahid beheshti university دانشگاه شهید بهشتی