fa بررسی اثر پاشندگی ضریب شکست بر مدهای نقص ناحیه مرئی در بلور فوتونی یک بعدی دی اکسیدتیتانیوم نانومتخلخل تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله با در نظر گرفتن تخلخل و ضخامت مناسب لایه‌های بلور فوتونی سیلیکون نانومتخلخل، به منظور قرار گرفتن نوار ممنوعه فوتونی در ناحیه مرئی، به کمک روش در این مقاله با در نظر گرفتن اثر پاشندگی ضریب شکست و به کمک روش ماتریس انتقال، بعد از بهینه‌سازی بازه ضریب شکست و ضخامت لایه‌های بلور فوتونی به منظور قرار گرفتن نوار ممنوعه فوتونی در ناحیه مرئی، با افزودن یک لایه نقص و تشکیل بلور فوتونی با ساختار هندسی متقارن، گاف ممنوعه فوتونی و مدهای نقص مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان می‌دهد که در نظر گرفتن اثر پاشندگی لایه‌های بلور فوتونی نه تنها باعث کاهش گاف ممنوعه می‌شود بلکه شدت و مکان مدهای نقص را هم کاهش می‌دهد. بنابراین اعمال اثر پاشندگی در مسائل کاربردی حائز اهمیت است. . In this study considering refractive index dispersion and transfer matrix method, after optimization of the refractive index and thickness of the layers in a 1D photonic crystal in order to have a photonic band gap in the visible light region, we add a defect layer and made a photonic crystal with a symmetric structure and studied band gap and defect modes. The results show that considering refractive index dispersion for layers not only decrease the band gap, but also decrease the location and intensity of defect modes in the band gap. These findings are very important to consider in related applications. بلور فوتونی, پاشندگی, لایه نقص, روش ماتریس انتقال Photonic Crystal, Dispersion Relation, Defect Layer, Transfer Matrix Method 1493 1496 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-106&slc_lang=fa&sid=1 MohammadReza Hatami محمدرضا حاتمی m.reza77@yahoo.com 10031947532846002577 10031947532846002577 No 1Department of Physics, Science & Research Branch, Islamic Azad University, Fars, Iran گروه فیزیک دانشگاه علوم و تحقیقات فارس Roya Rajabi رویا رجبی rajabi_roya1312@yahoo.com 10031947532846002578 10031947532846002578 No 2Department of Physics, Faculty of Science, Vali-e-Asr University of Rafsanjan, Iran گروه فیزیک دانشگاه ولی‌عصر(عج) رفسنجان Jamileh Seyedyazdi جمیله سیدیزدی j.seyedyazdi@gmail.com 10031947532846002579 10031947532846002579 Yes 2Department of Physics, Faculty of Science, Vali-e-Asr University of Rafsanjan, Iran گروه فیزیک دانشگاه ولی‌عصر(عج) رفسنجان