fa تأثیر جایگاه نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه بر جذب نوری تخصصی Special پژوهشي Research <p><strong>در این مقاله اثر تعداد تناوب سلول</strong><strong>&shy;های</strong><strong>&nbsp;واحد اطراف لایه &shy;ی نقص در یک بلور فوتونی</strong><strong>&nbsp;یک بعدی</strong><strong>&nbsp;گرافن پایه را بر طیف جذب بررسی می&shy;کنیم. با فرض اینکه تعداد تناوب سلول واحد قبل و بعد از لایه&shy;ی نقص به ترتیب&nbsp;</strong><span dir="LTR">m</span><strong>&nbsp;و&nbsp;</strong><span dir="LTR">n</span>&nbsp;<strong>باشد، &nbsp;نشان می&shy; دهیم که در هر&nbsp;</strong><span dir="LTR">m</span><strong>&nbsp;با افزایش&nbsp;</strong><span dir="LTR">n</span><strong>، جذب در محل مد نقص رو به بهبود می&shy; گذارد. بعلاوه، برای دست&shy;یابی به جذب افزایش یافته در ساختار، علاوه بر&nbsp;</strong><span dir="LTR">n</span><strong>&nbsp;های بالاتر</strong><strong>&nbsp;بایستی از&nbsp;</strong><span dir="LTR">m</span><strong>&nbsp;های پایین نیز استفاده کرد.</strong></p> <p>In this paper, we investigate the effect of period numbers of unit cells surronding a defect layer on absorption spectra in a graphene-based one-dimensional photonic crystal. Assuming the period numbers of unit cells before and after the defect layer m and n, respectively, it is shown that the absorption tends to be improved by increasing n for each m, at the position of defect mode. Moreover, achieving enhanced absorption in the structure requires the use of low m besides higher n.</p> بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه, جذب افزایش یافته, مد نقص Graphene-Based One-Dimensional Photonic Crystal, Enhanced Absorption, Defect Mode 385 388 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1235&slc_lang=fa&sid=1 Arezou Rashidi آرزو رشیدی a.rashidi@tabrizu.ac.ir 10031947532846006292 10031947532846006292 Yes دانشگاه تبریز Abdolrahman Namdar عبدالرحمن نامدار a.namdar@tabrizu.ac.ir 10031947532846006293 10031947532846006293 No دانشگاه تبریز Reza Abdi-Ghaleh رضا عبدی قلعه r.abdi@bonabu.ac.ir 10031947532846006294 10031947532846006294 No Assistant professor دانشگاه بناب