Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences
مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانسهای انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS
Basic Sciences
http://opsi.ir
1
admin
1126-3278
10
8
7
14
8888
13
fa
jalali
1395
11
1
gregorian
2017
2
1
23
مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و سومین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
online
1
fulltext
fa
خواص اپتیکی نانو سیم های سیلیسیمی ساخته شده به روش 1-MACE
Optical Properties of Silicon Nanowires fabricated through 1-MACE
تخصصی
Special
پژوهشي
Research
<p><span dir="RTL">نانو سیم­های سیلیسیمی به روش سونش شیمیایی تک مرحله­ای در زمان­های متفاوت (80min و 60، 30) </span><span dir="RTL"> تهیه شده اند. با توجه به تصاویر FESEM </span><span dir="RTL">آرایه ­هایی از نانو سیم­ها به­صورت منظم، متراکم و عمود بر سطح تشکیل شده است. اگرچه با افزایش زمان سونش از 30 به 60 دقیقه طول نانوسیم­ها افزایش و قطر آنها کاهش یافته اما با ادامه فرایند تا 80 دقیقه از طول نانو سیم ها کاسته شده اند. با استفاده از طیف بازتاب و رابطه­ ی Kubelka-Munk</span><span dir="RTL"> گاف نواری اپتیکی نمونه­ ها محاسبه شدند. دریافتیم با افزایش زمان سونش گاف نواری از </span>eV<span dir="RTL"> 1<sub>/</sub>36 به </span>eV<span dir="RTL"> 1<sub>/</sub>58 تحت تاثیر وقوع محدودیت کوانتومی افزایش یافته­ اند. این تغییرات می تواند در آشکارسازهای نوری مفید باشد.</span></p>
<p>Silicon nanowires are fabricated through one step metal assisted chemical etching method with different etching times (30, 60, and 80 min). According to FESEM images SiNWs arrays are dens, ordered and vertical to the wafer surface. While with increasing the etching time from 30 to 60 min the lengths of nanowires are increased and their diameters are decreased; with continuing the process to 80 min their lengths are reduced. Using reflectance spectra and Kubelka–Munk equation we have calculated the optical band gap of the samples. We found with increasing the etching time, due to quantum confined effect, the band gap is increased from 1.36 eV to 1.58 eV. These variations could be useful in photodetectors.</p>
خواص اپتیکی, گاف اپتیکی, SiNWs
Optical properties, Optical band gap, SiNWs
1001
1004
http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1215&slc_lang=fa&sid=1
somaye
Ashrafabadi
سمیه
اشرف آبادی
Ashrafabadi.somaye@gmail.com
10031947532846006211
10031947532846006211
Yes
دانشگاه صنعتی شاهرود
Hosein
Eshghi
حسین
عشقی
h_eshghi@shahroodut.ac.ir
10031947532846006212
10031947532846006212
No
دانشگاه صنعتی شاهرود