fa ویژگی مدهای نقص در بلور فوتونی یک بعدی گرافن پایه تخصصی Special پژوهشي Research <p><span style="line-height: 20.8px;">در این مقاله خواص تراگسیل ساختار پریودیک دی الکتریک- گرافن یک بعدی حاوی لایه نقص با استفاده از روش ماتریس انتقال مورد مطالعه قرار گرفته است. ساختار مورد نظر متشکل از نانو لایه‌های یکسان گرافن است که به صورت پریودیک توسط لایه‌های یکسان دی الکتریک از هم جدا شده‌اند و لایه‌ی نقص در مرکز ساختار قرار گرفته است. نتایج بدست آمده نشانگر وجود گاف باند القایی گرافن در فرکانسهای پایین تراهرتز می‌باشد. هم چنین یک مد نقص در گاف باند مربوطه قابل مشاهده است که ناشی از شکست تناوب شبکه گرافنی است. لذا مد نقص القایی گرافن نامگذاری شده است. وابستگی مد نقص به فاصله بین نانولایه‌های گرافن و گذردهی الکتریکی دی الکتریک تحت تابش عمودی مورد مطالعه قرار گرفته است. از آن جایی که گذردهی نانولایه‌های گرافن از طریق رسانندگی سطحی وابسته به پتانسیل شیمیایی گرافن است، فرکانس مد نقص القایی گرافن قابلیت تنظیم از طریق اعمال ولتاژ گیت را داراست. علاوه بر این، توزیع میدان امواج الکترومغناطیسی در فرکانس مد نقص القایی گرافن در درون ساختار رسم شده است.</span></p> <p><span style="line-height: 20.8px;">In this paper the transmission properties of a defective one-dimensional dielectric-graphene periodic structure have been investigated using the transfer matrix method. The structure with a central defect consists of a stack of graphene nanolayers which are separated alternatively by the same dielectric layers. The results show that the suggested structure possesses a graphene induced photonic band gap (GIPBG) at low THz frequencies. Also, one defect mode is created in the GIPBG due to the breaking of the periodicity of the graphene lattice. So, we call it the graphene induced defect mode (GIDM). The dependence of the GIDM on the relative permittivity of dielectric layers and the thickness between graphene nanolayers has been studied at normal incidence. Since the permittivity of graphene nanolayer depends on its chemical potential, the frequency of the GIDM can be controlled via a gate voltage. Also, the electromagnetic field profile at the frequency of the GIDM inside the structure has been plotted.</span></p> پتانسیل شیمیایی, تنظیم پذیری, ساختار پریودیک, مد نقص, نانولایه گرافن. Chemical potential, Tunability, Periodic structure, Defect layer, Graphene nanolayer. 216 219 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1108&slc_lang=fa&sid=1 Ziba Saleki زیبا سالکی saleki@tabrizu.ac.ir 10031947532846004802 10031947532846004802 Yes tabriz university دانشگاه تبریز amir Madani امیر مدنی a-madani@tabrizu.ac.ir 10031947532846004803 10031947532846004803 No bonab university دانشگاه بناب Samad Roshan Entezar صمد روشن انتظار 10031947532846004804 10031947532846004804 No tabriz university دانشگاه تبریز