fa کنترل گاف باند بلورهای فوتونی شامل نیم‌رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAsاز طریق دمش نوری تخصصی Special پژوهشي Research در این مقاله تأثیر زاویه تابش درضریب بازتاب و گاف باند بلور فوتونی متشکل از نیم رساناهای چاه کوانتومی InGaAs/InAs، تحت تابش یک پالس قوی دمشی فمتوثانیه مورد بررسی قرارگرفته است. نتایج نشان می‌دهد که به علت اثر اشتارک اپتیکی و کنترل فرکانس تشدید اکسیتون، گاف باند این بلور قابل کنترل می‌شود. این گاف باند قابل کنترل توسط اثراشتارک، می‌تواند در طراحی کلیدها و فیلترهای نوری مفید باشد. به دلیل ابعاد کوچک معرفی شده، این ساختار قابلیت زیادی در مدارات مجتمع نوری و سیستم‌های مخابرات نوری دارد. In this paper, the effect of incident angle on reflectivity and the active band gap of a one-dimensional resonant photonic crystal containing InGaAs/GaAs semiconductor quantum wells is discussed. The photonic crystal is excited by a strong external femtosecond pump pulse with a frequency close to the exciton resonance frequency. The results show that owing to the optical Stark effect and control of the exciton resonance frequency, the crystal band gap can be controlled. This band gap that is controlled by the Stark effect, can be useful to design optical switches and filters. Due to the small size of the introduced structure, it has the capacity to utilize in the optical integrated circuits and optical telecommunication systems. بلور فوتونی, اثر اشتارک, گاف باند,کلیدنوری Photonic crystal, Stark effect, Band gap, Optical switch 1525 1528 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-92&slc_lang=fa&sid=1 mahshid mokhtarnejad مهشید مختارنژاد mahshid4u@gmail.com 10031947532846002522 10031947532846002522 Yes Habib Tajali حبیب تجلی 10031947532846002523 10031947532846002523 No Samad Roshan entezar صمد روشن انتظار 10031947532846002524 10031947532846002524 No