fa بررسی خواص ساختاری، ریخت شناسی و اپتیکی لایه های نازک نیمرسانای ترکیبی WO3/WS2 تخصصی Special پژوهشي Research <p><span style="line-height: 20.8px;">لایه های نازک ترکیبی اکسید تنگستن/ سولفید تنگستن (WO</span><sub style="line-height: 20.8px;">3</sub><span style="line-height: 20.8px;">/WS</span><sub style="line-height: 20.8px;">2</sub><span style="line-height: 20.8px;">) بر روی زیرلایه ی شیشه با استفاده از روش شیمیایی افشانه ی تجزیه ی حرارتی و عملیات حرارتی در حضور گازهای آرگون و سولفید هیدروژن تهیه شدند. خواص ساختاری، ریخت شناسی سطح و اپتیکی لایه ها با استفاده از الگوی پراش اشعه ی (XRD)X، میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) و طیف سنج UV.Vis مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک (WO</span><sub style="line-height: 20.8px;">3</sub><span style="line-height: 20.8px;">/WS</span><sub style="line-height: 20.8px;">2</sub><span style="line-height: 20.8px;">) دارای فازهای اکسیدی مونوکلینیک و سولفیدی هگزاگونال و سطحی تقریباً یکنواخت هستند. ضریب جذب لایه ها در ناحیه ی مرئی از مرتبه ی&nbsp;10</span><sup style="line-height: 20.8px;">4</sup><span style="line-height: 20.8px;">cm</span><sup style="line-height: 20.8px;">-1&nbsp;</sup><span style="line-height: 20.8px;">&nbsp;می باشد و گاف نواری مستقیم فازهای اکسیدی و سولفیدی به ترتیب در حدود&nbsp;3/22eV و 2/49eV محاسبه شدند.</span></p> <p><span style="line-height: 20.8px;">WO</span><sub style="line-height: 20.8px;">3</sub><span style="line-height: 20.8px;">/WS</span><sub style="line-height: 20.8px;">2</sub><span style="line-height: 20.8px;">&nbsp;compound thin films were prepared on glass substrate using chemical spray pyrolysis and annealing process in the Argon and H2S atmosphere. Structural, morphological and optical properties of the layers were investigated by X-ray diffractometer (XRD), field effect scanning electron microscopy (FESEM) and UV.Vis spectrophotometer. WO</span><sub style="line-height: 20.8px;">3</sub><span style="line-height: 20.8px;">/WS</span><sub style="line-height: 20.8px;">2</sub><span style="line-height: 20.8px;">&nbsp;thin films have monoclinic oxide and hexagonal sulfide phases and approximately homogeneous Surface. Absorption coefficient of the layers in the visible region are of order 10</span><sup style="line-height: 20.8px;">4</sup><span style="line-height: 20.8px;">&nbsp;cm</span><sup style="line-height: 20.8px;">-1</sup><span style="line-height: 20.8px;">&nbsp;and direct band gap of oxide and sulfide phases were calculated about 3.22 and 2.49 eV, respectively</span></p> اکسید تنگستن, سولفید تنگستن, خواص ساختاری, خواص اپتیکی tungsten oxide, tungsten sulfide, structural properties, optical properties 200 203 http://opsi.ir/browse.php?a_code=A-10-1-1094&slc_lang=fa&sid=1 Roohallah Salamatizadeh روح الله سلامتی زاده rsz698892@gmail.com 10031947532846004751 10031947532846004751 Yes Damghan university دانشگاه دامغان Mehdi Adelifard مهدی عدلی فرد m-adelifard@du.ac.ir 10031947532846004752 10031947532846004752 No Damghan university دانشگاه دامغان Seyed Ahmad Ketabi سید احمد کتابی saketabi@du.ac.irروح الله 10031947532846004753 10031947532846004753 No Damghan university دانشگاه دامغان