TY - JOUR T1 - 80 nm of the Photoluminescence displacement of ZnSe core to ZnSe/CdS Core-Shell TT - جابجایی گسیلnm 80 از هسته ZnSe به هسته-پوسته ZnSe/CdS JF - opsi JO - opsi VL - 21 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-700-fa.html Y1 - 2015 SP - 773 EP - 776 KW - ZnSe/CdS KW - photoluminesance KW - core-shell nanocrystals N2 - در این پژوهش از روش TGA محلول در آب برای آماده سازی نانو بلورهای هسته - پوسته ZnSe/CdS استفاده شده است. نانو‌‌ بلورهای هسته -پوسته ZnSe/CdS گسیل فوتولومینسانس (400-550 nm) با پهنای باند کم و تنظیم پذیر دارند. با تغییر لیگاندهای تیول و ضخامت پوسته جابجایی طیف جذب و فلوئورسان را مشاهده کردیم. بنابراین اثر متغیرهای تجربی مثل نوع لیگاند تیول و مقدار آن، دمای واکنش و تاثیر pH برروی سنتز و ویژگیهای نوری نانو بلورهای هسته -پوسته بررسی شدند. همچنین شدت گسیل PL از نانوساختارهای هسته -پوسته ZnSe/CdS به طور عمده در مقایسه با نانو بلورهای ZnSe بهبود یافته است و در طول موج گسیل به اندازه 80 نانومتر جابجایی مشاهده میشود (شیفت قرمز) که به علت رشد و پوسته CdS پیرامون هسته ZnSe میباشد. M3 ER -