TY - JOUR T1 - Enhanced Optical Band Gap of Silicon Carbide Nanostructures by Surface Modification TT - افزایش گاف اپتیکی نانو ساختارهای سیلیکون کارباید با ایجاد تغییرات سطحی JF - opsi JO - opsi VL - 21 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-545-fa.html Y1 - 2015 SP - 181 EP - 184 KW - silicon carbide nanostructures KW - surface modification KW - C-O bond KW - Si-O bond KW - band gap enhancement N2 - در این کار تحقیقاتی، پیوندهای Si-O و C-O بر روی سطح نانوساختارهای سیلیکون کارباید با ابعاد حدود 50 نانومتر توسط بازپخت و حکاکی شیمیایی تشکیل شده است. حضور این پیوند ها توسط طیف تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) مورد تایید قرار گرفته است. همچنین طیف فرابنفش- مرئی کلوئید، افزایش گاف انرژی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را نشان می دهد. پیوند C-O باندازه 0.58 الکترون ولت گاف اپتیکی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را افزایش داده است. پیوندهای C-O و Si-O نیز گاف اپتیکی این نانوساختارها را 0.87 الکترون ولت افزایش داده اند. خواص اپتیکی مشاهده شده در نانوساختارهای سیلیکون کارباید، این مواد را گزینه باارزشی برای ساختن دیود های گسیل نوری و لیزرها می نماید. M3 ER -