%0 Journal Article %T Analysis of Optoelectronic Characteristics of Short Wavelength Transistor Laser %J Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences %V 21 %N 0 %U http://opsi.ir/article-1-460-fa.html %R %D 2015 %K Optoelectronic, Optical Bandwidth, Threshold Current, Quantum Well, Transistor Laser, %X چکیده – این مقاله به تحلیل و شبیه سازی مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری تک چاه کوانتومی با قابلیت کارکرد در طول موجهای کوتاه (336nm) می پردازد. یک مدل کنترل بار بر مبنای معادلات نرخ برای یافتن مشخصات اپتوالکترونیک لیزر ترانزیستوری مورد استفاده قرار گرفت. شبیه سازی ها نشان داد که قطعه مربوطه دارای چگالی جریان آستانه ای برابر 12.3kA/cm2 و بهره جریانی در حدود 10.6 می باشد. همچنین 30GHz پهنای باند نوری، پیک رزونانسی زیر 5dB و fmax برابر 53.4GHz برای عرض 15nm چاه کوانتومی و طول کاواک 500mm بدست آمد. %> http://opsi.ir/article-1-460-fa.pdf %P 53-56 %& 53 %! %9 Research %L A-10-1-440 %+ %G eng %@ 1126-3278 %[ 2015