@ARTICLE{Kordghasemi, author = {kordghasemi, zohreh and eshghi, hosein and }, title = {Theoretical study of the electrical properties of Au/n-GaN Schottky diode }, volume = {20}, number = {0}, abstract ={چکیده-دراین تحقیق مشخصه I-V مربوط به دیود شاتکی Au/n-GaN در گستره دمایی 100- K 350 مورد مطالعه قرار گرفته است. کمیت های گوناگون مانند: بزرگی ارتفاع سد φb0 ،ضریب ایده آلیn و مقاومت متوالی Rsقطعه با استفاده از نظریه گسیل گرمایونی (TE) و به روش چانگ مبتنی بر یک ارتفاع سد پتانسیل ثابت تعیین شدند. دریافتیم نظریه تعمیم یافته گسیل گرمایونی با در نظر گیری وجود ارتفاع سد ناهمگون (با توزیع گوسی) نه تنها در بردارنده نتایج نظریه مقدماتی است بلکه به خوبی برآورنده بزرگی ضریب موثر ریچاردسون در این پیوندگاه است. }, URL = {http://opsi.ir/article-1-408-fa.html}, eprint = {http://opsi.ir/article-1-408-fa.pdf}, journal = {Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences}, doi = {}, year = {2014} }