TY - JOUR T1 - Effect of indium percentage on energy levels of pyramidal In_x Ga_(1-x) As quantum dots on GaAs substrate TT - تاثیر درصد استوکیومتری بر ترازهای انرژی نقطه کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As مبتنی بر GaAs JF - opsi JO - opsi VL - 20 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-300-fa.html Y1 - 2014 SP - 705 EP - 708 KW - Strain KW - bandedge KW - nano-electronics KW - quantum dots N2 - در این مقاله، لبه نوار و ترازهای انرژی نقاط کوانتومی هرمی شکل In_x Ga_(1-x) As روی زیرلایه GaAs بررسی نموده‌ایم. نشان می‌دهیم که با تغییرات درصد استوکیومتری In نسبت به Ga در نقطه کوانتومی مقادیر مجاز انرژی در نقاط افزایش ‌یافته و لبه نوارهای هدایت و رسانش به هم نزدیک‌تر می‌شوند و همچنین طول موج گسیلی نور از ترازها افزایش می‌یابد. نتایج ما بسیار با نتایج تجربی و تئوری‌های پیشین سازگار هستند. M3 ER -