AU - Noroozian Alam, Shahab AU - Zubialevich, Vitaly AU - Ghafary, Bijan AU - Parbrook, Peter TI - Optical and Compositional properties of Indium Aluminium Nitride as a New Active Material for Light Emitting Applications PT - JOURNAL ARTICLE TA - opsi JN - opsi VO - 26 VI - 0 IP - 0 4099 - http://opsi.ir/article-1-2204-fa.html 4100 - http://opsi.ir/article-1-2204-fa.pdf SO - opsi 0 AB  - ایندیوم آلومینیوم نترید (InAlN) یک ماده نیمه هادی مهم و البته چالشی از دسته نیمه هادی های نیتریدی بوده که اخیرا مورد توجه دانشمندان قرار گرفته است. یکی از چالش های اساسی فرآوری این ماده، مشخص کردن پهنای باند در غلطت های پایین ایندیوم است و هنوز تحقیقات و داده های قابل اتکایی برای آن وجود ندارد. در اینجا، چاه های کوانتومی به روش اپیتکسیال بر روی زیرلایه از جنس آلومینا رشد داده شده و مشاهده شد که در طول موج های بین 300 الی 350 نانومتر نور گسیل می کنند. همچنین لایه های با ضخامت حدود 100 نانومتر رشد داده شده و پهنای نواری InAlN بوسیله فتولومینسانس اندازه گیری شد. مشاهده شد که با افزایش دمای رشد از غلظت ایندیوم کاسته شده و همچنین با افزایش غلظت ایندیوم پهنای باند به سرعت و بصورت غیر خطی کاهش می یابد. CP - IRAN IN - LG - eng PB - opsi PG - 1125 PT - Research YR - 2020