RT - Journal Article T1 - Design and Simulation of Broadband Plasmonic Switch Based on Vanadium Dioxide in Infrared Region JF - opsi YR - 2020 JO - opsi VO - 26 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html SP - 477 EP - 480 K1 - Extinction Ratio K1 - Plasmonic Switch K1 - Surface plasmon K1 - Vanadium Dioxide. AB - در این مقاله یک نانوسوئیچ پلاسمونیک مبتنی بر دی­اکسید وانادیوم (VO2) در ناحیه فروسرخ طراحی و شبیه‌سازی شده است. سوئیچینگ نوری در این نانوساختار ناشی از تغییر فاز لایه VO2 از فلز به عایق با تغییر دما است. انتقال فاز لایه VO2 منجر به تغییر در طیف جذب نانوساختار می­شود. با انتخاب مقادیر nm 340 و nm 20، به‌ترتیب، برای ضخامت لایه‌های SiO2 و VO2 جذب بالای 99% در فاز عایقی و نزدیک صفر در فاز فلزی حاصل شده است. در نتیجه، نسبت خاموشی به‌دست آمده برای سوئیچ پیشنهادی برابر dB 8/11 است. نتایج به­دست آمده در این پژوهش، قابلیت بالای استفاده از اکسیدهای وانادیوم به­عنوان ماده مناسب برای استفاده در ادوات پلاسمونیک مانند مدولاتورها و حسگرها در فرکانس‌های نوری را نشان می­دهد. LA eng UL http://opsi.ir/article-1-2095-fa.html M3 ER -