@ARTICLE{Nasiri, author = {Nasiri, Ali and Zandi Goharrizi, Azita and Safari, Hassan and Alahyarizadeh, Ghasem and }, title = {Study of the effect of AlGaN electron blocking layer on the characteristics of InGaN/GaN MQW solar cells}, volume = {26}, number = {0}, abstract ={در این مقاله جهت بررسی تأثیر لایه مسدود‌کننده الکترون (EBL) AlGaN بر مشخصه‌های سلول‌های خورشیدی چاه کوانتومی چندگانه InGaN/GaN، ابتدا این ساختار بدون لایه EBL با استفاده از نرم‌افزار سیلواکو-اطلس شبیه‌سازی شد و مقدار بازده 80/27 درصد به‌دست آمد. سپس با افزودن لایه مسدودکننده الکترون p-Al0.1Ga0.9N با ضخامت nm20 به ازای مقدار ناخالصی‌های مختلف، مشخصه‌های سلول مورد بررسی قرار گرفت و مقدار بهینه برای بازده، 05/40 درصد به ازای مقدار ناخالصی 3-cm 1019×2 به‌دست آمد. نتایج شبیه‌سازی نشان داد که افزودن لایه مسدودکننده الکترون p-AlGaN به ساختار سلول، انحراف باند رسانش را افزایش می‌دهد. این امر شارش الکترون‌ها به ناحیه p را مسدود خواهد کرد و درنتیجه به علت کاهش بازترکیب و بهبود جمع‌آوری حفره‌ها، بازده سلول خورشیدی افزایش خواهد یافت. }, URL = {http://opsi.ir/article-1-2085-fa.html}, eprint = {http://opsi.ir/article-1-2085-fa.pdf}, journal = {Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences}, doi = {}, year = {2020} }