TY - JOUR T1 - Design and fabrication of Energy Scavenging amplifier for Passively Q-switched microchip laser TT - طراحی و ساخت تقویت کننده میکرولیزر سوئیچ-Q انفعالی به روش جاروب پرتو دمش جذب نشده JF - opsi JO - opsi VL - 26 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-2080-fa.html Y1 - 2020 SP - 429 EP - 432 KW - Passively Q-Switched Microchip Laser KW - Amplifier KW - Pump Scavenging N2 - میکرولیزرها به دلیل ابعاد کوچک تشدیدگر و جذب ناکافی پرتو دمش، راندمان تبدیل نوری پایینی را دارا می­باشند. در این تحقیق طراحی و ساخت سیستم تقویت­کننده­ی میکرولیزر به روش جاروب پرتو دمش جذب نشده در تشدیدگر اولیه انجام شده است. در این روش تقویت انرژی میکرولیزرتا سه برابر انرژی اولیه با یک بار عبور انجام گردیده و بیشترین انرژی بدست آمده پس از تقویت مقدار µj193 است. در این روش تقویت میکرولیزر، با کمترین پیچیدگی و هزینه اضافی انجام شده است. M3 ER -