@ARTICLE{Sepahban Shahgoli, author = {Sepahban Shahgoli, Saba and Akhtariyan far, Seyed Farshad and Shojaei, Saeid and }, title = {Engineering of Schottky Barrier Height in Graphene -Transition Metal Dichalgocenide-based Heterostructures}, volume = {26}, number = {0}, abstract ={مواد دوبعدی دی‌چالکوجناید فلزات واسطه، مواد جدید در حال ظهور هستند که خصوصیات آن‌ها سبب جذاب شدن آن‌ها برای کاربرد‌های نانو فوتونیکی و نانو الکترونیکی شده است. همین‌طور مواد دوبعدی مانند گرافن که شبه فلز است، اگر با نیم‌رساناهای دوبعدی ترکیب شود، ساختار‌ها‌ی هیبریدی واندروالسی تشکیل می‌دهد که این افزاره‌ها دارای رفتارهای غیرقابل‌پیش‌بینی است. ما، در این مقاله به‌صورت نظری ساختار هیبریدی متشکل از گرافن و دی‌سولفید تنگستن را مدل بندی کرده‌ایم که پیوند این دو ایجاد سد شاتکی می‌کند. اعمال میدان خارجی ارتفاع سد شاتکی را از مقدار اولیه به الکترون‌ولت تغییر می‌دهد که سبب افزایش جریان اشباع معکوس از مقدار اولیه تا آمپر شده است و پیرو آن جریان ترومویونی افزایش خواهد داشت که قابلیت بهره‌برداری از این ساختار ها در آشکارسازی برای افزایش پاسخ‌دهی نوری و بهره را ممکن می‌سازد. }, URL = {http://opsi.ir/article-1-2051-fa.html}, eprint = {http://opsi.ir/article-1-2051-fa.pdf}, journal = {Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences}, doi = {}, year = {2020} }