TY - JOUR T1 - DesigningPerfect Absorber withWavelength-AdjustableBy Using Monolayer MoS2 in Defective Photonic Crystals TT - طراحی جاذب کامل تنظیم‌پذیر با تک لایه‌ی MoS2 در بلور فوتونی نقص‌دار JF - opsi JO - opsi VL - 26 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-2038-fa.html Y1 - 2020 SP - 285 EP - 288 KW - Absorption KW - Defective photonic crystal KW - Mobilidiumdisulfate KW - Transfer matrix method KW - Wavelength-adjustable capability N2 - امروزه بلورهای دوبعدی موبیلدیم دی سولفات MoS2، قابلیت چشمگیری در کاربردهای اپتوالکترونیکی نشان داده‌اند. در این مقاله در راستای رسیدن به ساختاری با جذب بالا و قابلیت تنظیم‌پذیری، از بلور فوتونی نقص دار با ساختار {(AB)p MDM (AB)q} استفاده‌شده است که نقص در آن به‌صورت MoS2/D/MoS2 در نظر گرفته‌شده است و p و q به ترتیب تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص را نشان می‌دهد. از روش ماتریس انتقال برای محاسبه‌ی جذب استفاده‌شده است. برای دستیابی به جذب بالا، دوره تناوب بلور فوتونی بالا و پایین نقص و ضخامت لایه‌ی نقص بهینه گردید. با استفاده از ساختار پیشنهادی می‌توان به جذب تقریبا کامل بالای 97 درصد با قابلیت تنظیم‌پذیری طول‌موج مد نقص با تغییر در ضخامت لایه‌ی D رسید که با افزایش ضخامت لایه‌ی D، طول‌موج مد نقص انتقال به سرخ دارد. M3 ER -