AU - Gholipour, Mohammad AU - Fathi, Davood AU - Gordi armaki, Mahdi TI - Theoretical analysis of Ge/Si quantum dot infrared photodetector PT - JOURNAL ARTICLE TA - opsi JN - opsi VO - 25 VI - 0 IP - 0 4099 - http://opsi.ir/article-1-1916-fa.html 4100 - http://opsi.ir/article-1-1916-fa.pdf SO - opsi 0 AB  - در این مقاله ما از یک مدل نسبتا دقیق به منظور مطالعه تئوری جریان تاریکی و نوری آشکارساز مادون قرمز نقطه کوانتومی Ge/Si که ساختار نواری متفاوتی را نسبت به نظایر آن در گروه سه - پنچ همچون InAs/GaAs دارند، استفاده کرده­ایم. در بررسی­مان، فرض کرده­ایم که هر دو مکانیزم تونل­زنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در تعیین اندازه جریان تاریکی سهیم هستند. وابستگی جریان تاریکی آشکارسازهای نقطه کوانتومی به دما و ولتاژ، همچنین سهم تونل زنی میدانِ کمکی و انتشار حرارتی در دماها و ولتاژهای متفاوت در آشکارساز بررسی شده اند. پیش بینی می شود با توجه به نتایج بدست آمده، مقدار جریان تاریکی در نقاط کوانتومی Ge/Si نسبت به نظایر آن در گروه سه – پنچ کوچکتر باشد. در نتیجه این ساختارها از قابلیت آشکارسازی بهتری برخوردار هستند. CP - IRAN IN - LG - eng PB - opsi PG - 821 PT - Research YR - 2019