TY - JOUR T1 - Synthesis of 2D Perovskite and Using Dip-coating Method Suitable for Fabrication of Optoelectronic Devices TT - سنتز پروسکایت دو بعدی و استفاده از لایه نشانی غوطه‎وری مناسب برای ساخت افزاره‎های الکترونیک نوری JF - opsi JO - opsi VL - 25 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-1854-fa.html Y1 - 2019 SP - 1125 EP - 1128 KW - Optoelectronic devices KW - 2D Perovskite KW - Stability KW - Ruddlesden-Popper KW - Dip-coating N2 - در این پژوهش سنتز پروسکایت دو بعدی رادلسدن پاپر که علاوه بر برخورداری از مزایای شناخته شده پروسکایت سه‎بعدی از جمله جذب نوری بالا و مشخصات انتقال حامل خوب عیب بزرگ ناپایداری را به طور قابل توجه‎ی برطرف کرده است، گزارش می شود.در این مقاله از مولکول‎های بزرگ و پایدار و مقاوم به حرارت و رطوبت بوتیل آمین استفاده شد تا یک لایه از پروسکایت سرب تترایدید را احاطه کنند و مانع از نفوذ حرارت و رطوبت به لایه‎ی پروسکایت شده و پایداری را افزایش می‎دهند.وجود این مولکول‏های حائل باعث افزایش ثابت شبکه نسبت به حالت سه بعدی می‎گردد و محدود سازی کوانتومی در دو بعد باعث افزایش گاف انرژی می شود. این ماده به روش غوطه‎وری لایه نشانی شد و با انجام آزمایش‎های طیف جذب نوری و نورتابناکی گاف انرژی آن 5/2 الکترون ولت و بیشترین مقدار نورتابناکی 21/2 الکترون ولت اندازه گیری شد. M3 ER -