%0 Journal Article %A Shoorian, Sara %A Jafari, Hamid %A Feghhi, Seyed amirhossein %T Investigating and Calculating of Silicon Displacement defect due to irradiation on Photodiodes Using Carrier Lifetime Changes %J Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences %V 25 %N 0 %U http://opsi.ir/article-1-1781-fa.html %R %D 2019 %K Displacement defect, Silicon Photodiode, PKA, Ionizing radiation, %X فوتودیودها بعنوان ساختار پایه بسیاری از قطعات مورد استفاده در ارتباطات نوری ممکن است تحت تابش یونیزان قرار گیرند. در این کار تاثیر PKAهایی با انرژی­های مختلف( eV 50، eV 100 و eV 200، eV 500 و eV 1000 ) بر ساختار سیلیکونی یک فوتودیود بررسی شده است. تاثیرات میکروسکوپی PKA ها بر ساختار سیلیکونی که با عث ایجاد نقص های فرنکل و ایجاد سطوح جدید انرژی در باند ممنوعه این نیمه­هادی می شود، توسط نرم افزار دینامیک مولکولی LAMMPS بررسی شده است. تغییرات ماکروسکوپی این قطعه که ناشی از گیراندازی حامل­های بار در تله­های بوجود آمده می باشد، منجر به کاهش جریان کاتد و به دنبال آن بهره کوانتومی فوتودیود می شود که توسط نرم افزار SILVACO شبیه سازی و محاسبه شده است. بنابراین با توجه به تاثیرگذاری بر ضریب اطمینان داده­های حاصل شده از این قطعات، می بایستی این افت ناشی از تابش در هنگام طراحی مدارات و همچنین تحلیل نتایج در نظر گرفته شود %> http://opsi.ir/article-1-1781-fa.pdf %P 173-176 %& 173 %! %9 Research %L A-10-1-1761 %+ Radiation Application Department, Shahid Beheshti University, Tehran, IRAN %G eng %@ 1126-3278 %[ 2019