TY - JOUR JF - opsi JO - ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS VL - 25 IS - 0 PY - 2019 Y1 - 2019/3/01 TI - Design and Simulation of a Tunable Nano-Sensor based on Plasmonic Perfect Absorber TT - طراحی و شبیه سازی نانو حسگر تنظیم پذیر مبتنی بر ساختار جاذب شدید پلازمونیکی N2 - در این مقاله، یک نانو حسگر فلز-دی الکتریک-فلز با حساسیت بالا و تنظیم پذیر ارائه شده است. در واقع هدف، پیشنهاد یک نانو حسگر با استفاده از خصوصیت جذب کنندگی شدید است. حساسیت و تنظیم پذیر بودن حسگرهای تمام نوری از پارامترهای مهم در طراحی آنها هستند که در این طرح با استفاده از حل عددی و تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته اند. نتایج نشان می‌دهد که حسگر پیشنهادی دارای بیشینه حساسیتی برابر با nm/RIU 8/693 به ازای تغییرات ضریب شکست دی الکتریک n=0/1Δ، و ضریب شایستگی برابر با 8/9 است. همچنین نانو حسگر پیشنهادی می‌تواند بعنوان کنترل کننده انتشار نور به صورت نور تند و کند عمل کند. با به کارگیری فلز نقره در ساختار حسگر، ضریب افزایش سرعت نور و کاهش آن، به ترتیب 220 و 70 است. SP - 1 EP - 4 AU - Hamooleh Alipour, Abbas AU - Mir, Ali AU - Farmani, Ali AD - Department of Electrical Engineering, Lorestan University, Khorramabad, Iran KW - perfect absorber KW - sensor KW - figure of merit KW - slow and fast light UR - http://opsi.ir/article-1-1656-fa.html ER -