%0 Journal Article %A Torkaman, Pouya %A Darbari, Sara %A Mohammad Zamani, Mohammad Javad %T Simulation and design of a photoconductive self-bias antenna based on GaN with dis-similar schottky contacts %J Accepted and Presented Articles of OPSI Conferences %V 24 %N 0 %U http://opsi.ir/article-1-1626-fa.html %R %D 2018 %K GaN- photoconductive- self-bias- antenna- terahertz., %X در این منبع تراهرتز با استفاده از دو اتصال شاتکی نامتقارن بر روی لایه ای از جنس بلور GaN، میدان داخلی لازم را ایجاد کرده ایم. با این کار نیاز به بایاس خارجی حذف می­گردد، که یکی از مزایای این ساختار است. سپس با تابش یک پالس زمانی گوسی باریک با طول موج nm 350 بر روی نیمه هادی باعث تولید حامل­ها درون منطقه فعال می­شویم. تغییرات زمانی سریع پالس ورودی عامل تولید فرکانس های بالا در جریان تراهرتز تولیدی می­باشد. این جریان متغیر با زمان باعث تولید و انتشار میدان تراهرتز به سمت کف افزاره می­گردد. در این مقاله، شبیه سازی‌ها دو بعدی و به روش عنصر متناهی انجام می‌شود. %> http://opsi.ir/article-1-1626-fa.pdf %P 145-148 %& 145 %! %9 Research %L A-10-1-1606 %+ Tarbiat modares university,Tehran %G eng %@ 1126-3278 %[ 2018