TY - JOUR T1 - Optimization of AlGaAs-QWs for high Power Diode lasers at 800nm TT - بهینه‌سازی چاه کوانتومی AlGaAs برای لیزرهای نیم‌رسانا 800 نانومتر پرتوان JF - opsi JO - opsi VL - 24 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-1517-fa.html Y1 - 2018 SP - 381 EP - 384 KW - Semiconductor Laser KW - Quantum Well KW - Well Thickness KW - Al Content KW - Threshold Current. N2 - در طراحی لیزرهای نیم‌رسانا AlGaAs با بکارگیری مقادیر مختلف درصد آلومینیوم و تغییر عرض چاه کوانتومی در ناحیه فعال میتوان عملکرد لیزر را در طول موجهای مختلف فراهم نمود. در عین حال عملکرد لیزر در شرایط بهینه در هر طول موج خاص به درصد معینی از الومینیم و عرض چاه مشخصی وابسته است. در این مقاله ساختار لیزر بهینه برای طول موج 800 نانومتر بررسی شد. معیار بهینه سازی بر اساس دست یابی به بالاترین توان و کمترین جریان آستانه تعیین گردید. در این بهینه سازی محدودیتهای رشد عملی مواد نیم‌رسانا و آستانه تخریب اپتیکی لیزر در نظر گرفته شد. برای طول موج 800 نانومتر بهترین عرض چاه کوانتمی 10 نانومتر و درصد مولار 085/0 برای مقدار آلومینیوم تعیین شد. در لیزر پیشنهادی، جریان آستانه 545 میلی آمپر و توانی در حدود 2450 میلی وات حاصل شد. M3 ER -