TY - JOUR T1 - Design and Simulation of Graphene-Based Plasmonic Infrared Logic Gates with Hexagonal Boron Nitride Substrate TT - طراحی و شبیه سازی گیت‌های منطقی گرافن پلازمونیکی مادون قرمز با زیرلایه نیترید بور شش گوشه JF - opsi JO - opsi VL - 24 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-1513-fa.html Y1 - 2018 SP - 29 EP - 32 KW - Graphene KW - plasmonic KW - optical logic gates KW - hexagonal boron nitride N2 - در این مقاله به طراحی و شبیه سازی گیت­های گرافن پلازمونیکی AND وOR با زیرلایه نیترید بور شش گوشه پرداخته شده است. در این گیت­ها پلازمون پلازیتون­های سطحی به وسیله موج ورودی با فرکانس 40THz با پلاریزاسیون TM در حالتی که پتانسیل شیمیایی نوارهای گرافنی در موجبر حدود 0.3ev تنظیم شده است، تحریک شده اند. استفاده از نیترید بور شش گوشه به جای دی اکسید سیلیکون به عنوان زیرلایه، تلفات کمتر پلازمون پلاریتون­های سطحی را نتیجه می­کند. نتایج شبیه سازی نشان می­دهند که نسبت تمایز برای گیت هایAND و OR با زیرلایه دی اکسید سیلیکون به ترتیب برابر 28dB و 25dB و تلفات الحاقی برابر 14dB و 21dB می­باشد در حالی که نسبت تمایز گیت های AND وOR پیشنهادی با زیرلایه نیترید بور شش گوشه به ترتیب برابر 34dBو29dB و تلفات الحاقی برابر 9.7dBو 4.3dB است. نتایج بدست آمده حاکی از بهبود نسبت تمایز و تلفات الحاقی و در عین حال ابعاد کوچکتر برای گیتهای منطقی مورد نظر است. M3 ER -