TY - JOUR T1 - A Comparison of Output Characteristics and Efficiency of Optimized Single-junction and Double-junction GaAs-InGaP Based Solar Cells TT - مقایسه مشخصه خروجی و بازدهی سلول‌های خورشیدی تک پیوندی و دوپیوندی بهینه‌شده مبتنی بر GaAs-InGaP JF - opsi JO - opsi VL - 24 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-1428-fa.html Y1 - 2018 SP - 893 EP - 896 KW - double junction solar cell KW - GaAs-InGaP KW - spectral response KW - conversion efficiency N2 - در این مقاله با حل همزمان معادلات پواسون، پیوستگی و انتقال حامل‌ها،سلول­های خورشیدی تک پیوندی GaAs و InGaP وسلول دو پیوندی GaAs-InGaP را شبیه­سازی و با یکدیگر مقایسه کردیم. با مقایسه پاسخ طیفی سلول­های خورشیدی نشان دادیم سلول­های خورشیدی GaAs و InGaP به ترتیب امواج کمتر از 873 نانومتر و 659 نانومتر را جذب می­کنند. درحالیکه سلول دوپیوندی متشکل از این دو زیرسلول طیف وسیعی از امواج که حاصل همپوشانی این دو طیف است را جذب می­کند. این امر راندمان سلول دوپیوندی را افزایش می­دهد. بر اساس نتایج شبیه­سازی راندمان سلول­های GaAs و InGaP به ترتیب 83/23 و 32/13 درصد است، درحالیکه با بهینه سازی ساختار سلول GaAs-InGaP راندمان 58/30 درصد حاصل گردید. علاوه بر آن مشخصه I-V سلول­ها نشان داد ولتاژ مدار باز برای سلول GaAs حدود 1 ولت و برای سلول InGaP به دلیل داشتن شکاف باند بیشتر، حدود 4/1 ولت است. ولتاژ مدار باز برای سلول دوپیوندی تقریبا برابر با حاصل جمع مقادیر مربوط به سلول­های تک پیوندی است که با طراحی مناسب آن­را افزایش دادیم. با طراحی مناسب سلول دوپیوندی جریان اتصال کوتاه نیز بهبود یافت. M3 ER -