TY - JOUR T1 - One-dimensional photonic crystals band gap made by alternating SiO2 or PMMA with MoS2 monolayers under irradiation of Gaussian wave TT - گاف نواری بلورهای فوتونی یک بعدی ساخته شده از لایه‌های متناوب SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMAتحت تابش باریکه گاوسی JF - opsi JO - opsi VL - 23 IS - 0 UR - http://opsi.ir/article-1-1267-fa.html Y1 - 2017 SP - 245 EP - 248 KW - Gaussian beam KW - MoS2/SiO2 KW - MoS2/PMMA KW - Photonic crystals KW - band gap KW - Ttransmission spectrum N2 - در این مقاله، امکان به دست آوردن بلورهای فوتونی یک بعدی که شامل مواد کم هزینه و همیشه در دسترس دی اکسید سیلیکون (SiO2) یا پلی متیل متاکریلات (PMMA) وتک لایه‌های دی سولفید مولیبیدیوم (MoS2 ) است ارائه شده است. باا اعمال ماتریس انتقال تحت باریکه گاوسی به بلورهای فوتونی با لایه های SiO2/ MoS2 وMoS2 / PMMA و بکارگیری ضرایب شکست وابسته به طول موج این لایه ها، طیف تراگسیل و ویژگی‌های گاف نواری فوتونی آنها مورد بررسی قرار گرفته است. با افزایش مختصه شعاعی rدر باریکه گاوسی، مکان گاف نوارهای فوتونی به سمت فرکانس­های پایین تر جابجا شدند. با افزایش ضخامت لایه‌های درهر یک از این بلورهای فوتونی، پهنای گاف نواری بطور قابل ملاحظه‌ای افزایش یافت و یک جابجایی به سمت فرکانس های پایین تر را نشان داد. M3 ER -