AU - Salamatizadeh, Roohallah AU - Adelifard, Mehdi AU - Ketabi, Seyed Ahmad TI - Investigation on structural, morphological and optical properties of WO3/WS2 compound semiconductor thin films PT - JOURNAL ARTICLE TA - opsi JN - opsi VO - 22 VI - 0 IP - 0 4099 - http://opsi.ir/article-1-1114-fa.html 4100 - http://opsi.ir/article-1-1114-fa.pdf SO - opsi 0 AB  - لایه های نازک ترکیبی اکسید تنگستن/ سولفید تنگستن (WO3/WS2) بر روی زیرلایه ی شیشه با استفاده از روش شیمیایی افشانه ی تجزیه ی حرارتی و عملیات حرارتی در حضور گازهای آرگون و سولفید هیدروژن تهیه شدند. خواص ساختاری، ریخت شناسی سطح و اپتیکی لایه ها با استفاده از الگوی پراش اشعه ی (XRD)X، میکروسکوپ الکترونی روبشی (FESEM) و طیف سنج UV.Vis مورد بررسی قرار گرفتند. لایه های نازک (WO3/WS2) دارای فازهای اکسیدی مونوکلینیک و سولفیدی هگزاگونال و سطحی تقریباً یکنواخت هستند. ضریب جذب لایه ها در ناحیه ی مرئی از مرتبه ی 104cm-1 می باشد و گاف نواری مستقیم فازهای اکسیدی و سولفیدی به ترتیب در حدود 3/22eV و 2/49eV محاسبه شدند. CP - IRAN IN - LG - eng PB - opsi PG - 200 PT - Research YR - 2016