جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1548-1545 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


1- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
چکیده:   (6522 مشاهده)
سونش شیمیایی تر یکی از پرکاربردترین روشهای سونش در صنعت ساخت ادوات اپتوالکترونیکی مانند لیزر نیمه‌هادی است که توسط محلولهای شیمیایی انجام می‌شود. در این پژوهش ویفر گالیم آرسناید جهت ساخت لیزر نیمه‌هادی توسط محلول سونشی متشکل از اسید فسفریک، پراکساید هیدروژن و متانول به روش غوطه‌وری و در دمای 0 تا 4 درجه سلسیوس مورد سونش قرار گرفت که نتیجه آن پس از بررسی با دستگاه پروفایلر سطح یک سونش غیر همسانگرد با مقطع عرضی U شکل و عمق 4600 آنگستروم بود. همچنین صافی سطح برابر 17/4 آنگستروم را ایجاد نمود که مناسب و قابل قبول بوده است. همچنین کنترل فرآیند سونش بعلت استفاده از متانول در دمای پایین بسیار آسان وکنترل پذیر است.
متن کامل [PDF 739 kb]   (1604 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.