برقراری ارتباط
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 1548-1545 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Parnia baran A, Abbasi S P, Sabrlouy B. Wet etching of GaAs wafers by phosphoric acid, hydrogen peroxide and methanol solution. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :1545-1548
URL: http://opsi.ir/article-1-89-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-89-fa.html
پرنیاباران علی، عباسی سید پیمان، صبرلوی بهرنگ. سونش تر ویفر گالیم آرسناید در محلول فسفریک اسید، هیدروژن پراکساید و متانول. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :1545-1548
1- مرکز ملی علوم و فنون لیزر ایران
چکیده: (6545 مشاهده)
سونش شیمیایی تر یکی از پرکاربردترین روشهای سونش در صنعت ساخت ادوات اپتوالکترونیکی مانند لیزر نیمه‌هادی است که توسط محلولهای شیمیایی انجام می‌شود. در این پژوهش ویفر گالیم آرسناید جهت ساخت لیزر نیمه‌هادی توسط محلول سونشی متشکل از اسید فسفریک، پراکساید هیدروژن و متانول به روش غوطه‌وری و در دمای 0 تا 4 درجه سلسیوس مورد سونش قرار گرفت که نتیجه آن پس از بررسی با دستگاه پروفایلر سطح یک سونش غیر همسانگرد با مقطع عرضی U شکل و عمق 4600 آنگستروم بود. همچنین صافی سطح برابر 17/4 آنگستروم را ایجاد نمود که مناسب و قابل قبول بوده است. همچنین کنترل فرآیند سونش بعلت استفاده از متانول در دمای پایین بسیار آسان وکنترل پذیر است.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
