– در این مقاله عوامل موثر بر بازده، جریان اتصال کوتاه و ولتاژمدار باز در سلول های خورشیدی نانو سیم مبتنی بر InP ساختارهای شعاعی و محوری و آرایه از سلول های خورشیدی مبتنی بر InP ساختار شعاعی بررسی و شبیه سازی شده است. نتایج کلی از مطالعات بیانگر آنست که افزایش طول و شعاع به همراه ساختار مناسب p-i-n با ضخامت و ناحیه ذاتی مناسب و افزایش آلایش نواحی در بازده سلول دارای نقش مثبتی بوده که .نتایج شبیه سازی بصورت نمودارها و جداول آورده شده است که بررسی دقیق وکلی آین نتایج منتج به کاهش هزینه های ساخت و طراحی دقیق تر ساختار خواهد شد.

واژه‌های کلیدی: نانوسیم InP، آرایه نانو سیم، سلول خورشیدی

متن کامل [PDF 433 kb]   (1265 دریافت)