جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 896-893 |
برگشت به فهرست نسخه ها
مهلا قائمی مقدم* 
1، مهدی سوویزی1 ، علی رحمتی1
1، مهدی سوویزی1 ، علی رحمتی1
1- دانشگاه ولی عصر
چکیده: (3151 مشاهده)
در میکرودیسک سیلیکایی جفت‌شده به دو موجبر مستقیم با استفاده تئوری ماتریس انتقال به بررسی دو مد تشدیدی، دامنه میدان بهینه پرداخته می‌شود. نقش دما بر روی شدت عبوری محاسبه نشان می-دهد که در گستره دمایی 50- تا 83 درجه سانتیگراد، عملکرد میکرودیسک پایداری حرارتی خوبی دارد. شدت عبوری وابستگی شدیدی به فاکتور پرشدگی نانو ذرات طلا در میکرودیسک دارد و با افزایش فاکتور پرشدگی، قله‌های عبوری کاهش و پهنای آنها افزایش می‌یابد.
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |