فیلم های نازک بس فرو کاربرد وسیعی در قطعات میکروالکترونیکی دارند. از شدت تولید هارمونیک دوم (SHG) این مواد، به عنوان روبشگر حساس در مطالعه اثر ضعیف مگنتو الکتریک استفاده می شود. ضرایب غیرخطی در محاسبه و تخمین SHG به تقارن ساختاری و مشخصه حوزه‌های فرو الکتریک مجاز در آن، وابسته است. در این مقاله، ضرایب غیرخطی مغناطیسی لایه نازک بس‌فرو فریت بیسموت (BFO) با تقارن 3m بررسی شده اند. با درنظر گرفتن حوزه‌های فروالکتریک در این لایه رابطه‌ی شدت MSHG ارائه شده است.

واژه‌های کلیدی: بیسموت فریت، تولید هارمونیک القای مغناطیسی، تولید هارمونیک دوم، حوزه‌های فرو الکتریک، مگنتو الکتریک

متن کامل [PDF 401 kb]   (896 دریافت)