برقراری ارتباط
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 1224-1221 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Rashidi S, Jamshidi-Ghaleh K, Vahedi A. Tuning the Defect Mode in Ternary PC Structure with External Voltage: Designing Controllable Optical Filter . ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :1221-1224
URL: http://opsi.ir/article-1-654-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-654-fa.html
رشیدی شیوا، جمشیدی قلعه کاظم، واحدی علی. تنظیم مد نقص در بلور فوتونی سه لایه با ولتاژ خارجی: طراحی فیلتر نوری کنترل پذیر. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :1221-1224
چکیده: (3308 مشاهده)
در این مقاله، رفتار مد نقص در بلور فوتونی یک بعدی سه لایه ایی(MgF2/Ag/TiO2)5LiNbO3(TiO2/Ag/MgF2)5، تحت اعمال ولتاژ الکتریکی خارجی بررسی شده است. لایه نقص LiNbO3، یک ماده الکترو- اپتیکی است که ضریب شکست آن وابسته به ولتاژ است. در مقایسه، منیزیم فلوراید و دی اکسید تیتانیم دارای ضرایب الکترو- اپتیکی خیلی پایینی هستند. بنابراین، با اعمال ولتاژ از لایه های نقره، ضریب شکست لایه نقص در راستای انتشار و به تبع آن راه نوری برای پرتو عبوری از ساختار تغییر کرده لذا محل مد نقص در داخل گاف باند فوتونی جابجا خواهد شد. این ساختار می تواند برای طراحی فیلتر تمام نوری کنترل پذیر مورد استفاده قرار گیرد.
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
