جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 488-485 |
برگشت به فهرست نسخه ها
حمزه نورالهی* 
1، عباس بهجت2 ، محمد آقا بلوری زاده1
1، عباس بهجت2 ، محمد آقا بلوری زاده1
1- گروه فیزیک و فوتونیک، دانشگاه تحصیلات تکمیلی صنعتی و فناوری پیشرفته، کرمان، ایران
2- گروه پژوهشی فوتونیک، مرکز تحقیقات مهندسی، دانشگاه یزد، یزد، ایران
2- گروه پژوهشی فوتونیک، مرکز تحقیقات مهندسی، دانشگاه یزد، یزد، ایران
چکیده: (3401 مشاهده)
بافت‌زنی زیر طول موجی راهکاری مؤثر برای بدام‌اندازی نور و افزایش میزان جذب اپتیکی بشمار می‌رود و رویکردی کارآمد جهت بالا بردن کیفیت سلول‌های خورشیدی است. در این مقاله با استفاده از مدل موجبر اپتیکی میزان جذب شدت نور خورشید در لایه نیمه‌هادی با بافت سطحی زیر طول موجی بر مرز مشترک با الکترود مقابل را محاسبه می‌کنیم. با اعمال انرژی جذب شده به سیستم گاز الکترون-حفره سلول خورشیدی ولتاژ مدار- باز سلول را به دست می‌آوریم و نشان خواهیم داد که این ساختار بازدهی سلول خورشیدی را بطور محسوسی افزایش می‌دهد
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |