برقراری ارتباط
جلد 21 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیست و یکمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران
ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال21 صفحات 184-181 |
برگشت به فهرست نسخه ها
Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:
Mardani M, Mansour N, Sheykhi E, Pouramini M. Enhanced Optical Band Gap of Silicon Carbide Nanostructures by Surface Modification. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2015; 21 :181-184
URL: http://opsi.ir/article-1-545-fa.html
URL: http://opsi.ir/article-1-545-fa.html
مردانی محمد، منصور نسترن، شیخی الهام، پورامینی مصطفی. افزایش گاف اپتیکی نانو ساختارهای سیلیکون کارباید با ایجاد تغییرات سطحی. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1393; 21 () :181-184
چکیده: (4140 مشاهده)
در این کار تحقیقاتی، پیوندهای Si-O و C-O بر روی سطح نانوساختارهای سیلیکون کارباید با ابعاد حدود 50 نانومتر توسط بازپخت و حکاکی شیمیایی تشکیل شده است. حضور این پیوند ها توسط طیف تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) مورد تایید قرار گرفته است. همچنین طیف فرابنفش- مرئی کلوئید، افزایش گاف انرژی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را نشان می دهد. پیوند C-O باندازه 0.58 الکترون ولت گاف اپتیکی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را افزایش داده است. پیوندهای C-O و Si-O نیز گاف اپتیکی این نانوساختارها را 0.87 الکترون ولت افزایش داده اند. خواص اپتیکی مشاهده شده در نانوساختارهای سیلیکون کارباید، این مواد را گزینه باارزشی برای ساختن دیود های گسیل نوری و لیزرها می نماید.
واژه‌های کلیدی: نانوکریستال های سیلیکون کارباید، تغییرات سطحی، پیوند C-O، پیوند Si-O، افزایش گاف اپتیکی
ارسال پیام به نویسنده مسئول
| بازنشر اطلاعات | |
 |
این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است. |
