در این کار تحقیقاتی، پیوندهای Si-O و C-O بر روی سطح نانوساختارهای سیلیکون کارباید با ابعاد حدود 50 نانومتر توسط بازپخت و حکاکی شیمیایی تشکیل شده است. حضور این پیوند ها توسط طیف تبدیل فوریه مادون قرمز (FTIR) مورد تایید قرار گرفته است. همچنین طیف فرابنفش- مرئی کلوئید، افزایش گاف انرژی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را نشان می دهد. پیوند C-O باندازه 0.58 الکترون ولت گاف اپتیکی نانوساختارهای سیلیکون کارباید را افزایش داده است. پیوندهای C-O و Si-O نیز گاف اپتیکی این نانوساختارها را 0.87 الکترون ولت افزایش داده اند. خواص اپتیکی مشاهده شده در نانوساختارهای سیلیکون کارباید، این مواد را گزینه باارزشی برای ساختن دیود های گسیل نوری و لیزرها می نماید.

واژه‌های کلیدی: نانوکریستال های سیلیکون کارباید، تغییرات سطحی، پیوند C-O، پیوند Si-O، افزایش گاف اپتیکی

متن کامل [PDF 586 kb]   (2310 دریافت)