حمایت از انجمن


برای حمایت لطفا روی بخش پایین کلیک کنید.
 
حمایت مالی از انجمن اپتیک و فوتونیک ایران
جلد 20 - مجموعه مقالات پذیرفته و ارائه شده در بیستمین کنفرانس اپتیک و فوتونیک ایران                   ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS سال20 صفحات 28-25 | برگشت به فهرست نسخه ها

XML English Abstract Print


Download citation:
BibTeX | RIS | EndNote | Medlars | ProCite | Reference Manager | RefWorks
Send citation to:

Heidari M, Zarifkar A, Sheikhi M H. Investigation of the Impact Ionization Effect In Graphene Nanoribbon-based Phototransistor. ICOP & ICPET _ INPC _ ICOFS 2014; 20 :25-28
URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html
حیدری محسن، ظریفکار عباس، شیخی محمدحسین. بررسی تاثیر برخورد یونیزه کننده در ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن. مقالات پذیرفته و ارائه شده در کنفرانس‌های انجمن اپتیک و فوتونیک ایران. 1392; 20 () :25-28

URL: http://opsi.ir/article-1-41-fa.html


1- دانشگاه شیراز
چکیده:   (7872 مشاهده)
ما دراین مقاله برای نخستین بار، تاثیر برخورد یونیزه کننده بر افزایش بهره نوری ترانزیستور نوری مبتنی بر نانو روبان گرافن را بررسی می کنیم. ترانزیستوری نوری که بررسی می کنیم، بر پایه آرایه ای از نانو روبان های گرافن شکل گرفته و گیت زبرین و گیت زیرین، افزایش بهره نوری ناشی از تکثیر حامل ها را به شدت کنترل می کند. مشاهده می شود که تکثیر حامل ها به ازای ولتاژ معمولی درین نیز، رخ می دهد. بنابراین صرفنظر کردن از برخورده یونیزه کننده، خطای بزرگی در محاسبه جریان نوری به همراه خواهد داشت.
متن کامل [PDF 498 kb]   (1580 دریافت)    
نوع مطالعه: پژوهشي | موضوع مقاله: تخصصی

ارسال پیام به نویسنده مسئول


بازنشر اطلاعات
Creative Commons License این مقاله تحت شرایط Creative Commons Attribution-NonCommercial 4.0 International License قابل بازنشر است.

کلیه حقوق این وب سایت متعلق به انجمن اپتیک و فوتونیک ایران می باشد.

طراحی و برنامه نویسی : یکتاوب افزار شرق

© 2024 All Rights Reserved | Optics and Photonics Society of Iran

Designed & Developed by : Yektaweb